|
E3150 даташитФункция этой детали – «Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
E3150 | SY |
Transistors SY semiconductors
Shenzhen SY Semiconductors Co.,LTD.
EB SERIES TRANSISTORS
●FEATURES:①HIGH VOLTAGE CAPABILITY ②HIGH SPEED SWITCHING ●APPLICATION:①FLUORESCENT LAMP ②ELECTRONIC BALLAST
E3150
③WIDE SOA
●Absolute Maximum Ratings (Tc=25℃)
PARAMETER Collector– Base Voltage Collector– Emitter Voltage Emitter – Base Voltage Collector Current Junction Temperature Storage Temperature SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC Tj Tstg VALUE 700 600 9 1.5 150 -65-150 UNIT V V V A ℃ ℃
TO-220 |
Это результат поиска, начинающийся с "3150", "E3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1S3150A | MSI Electronics |
(1S31xxA) VARACTOR DIODE
DataSheet 4 U .com
|
|
23150 | C&DTechnologies |
BobbinWoundSurfaceMountInductors |
|
2SC3150 | Mospec Semiconductor |
POWER TRANSISTORS(3A/800V/50W) A
A
A
|
|
2SC3150 | Sanyo Semicon Device |
For Switching Regulator Ordering number:EN1069C
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC3150
800V/3A Switching Regulator Applications
Features
· High breakdown voltage (VCBO≥900V). · Fast switching speed. · Wide ASO.
Package Dimensions
unit:mm 2010C
[2SC3150]
JEDEC |
|
2SC3150 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC3150
DESCRIPTION ·With TO-220C package ·High breakdown voltage : VCBO=900V(Min) ·Fast switching speed. ·Wide ASO (Safe Operating Area) APPLICATIONS ·800V/3A switching regula |
|
2SK3150 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 2SK3150(L), 2SK3150(S)
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
ADE-208-750A (Z) 2nd. Edition February 1999 Features
• Low on-resistance R DS = 45 mΩ typ. • High speed switching • 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
LDPAK
4 4
D
1 1
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |