|
E30A23VS даташитФункция этой детали – «Stack SilICon Diffused Diode (alternator Diode For Automotive)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
E30A23VS | KEC(Korea Electronics) |
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE) SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION. FEATURES
Average Forward Current : IO=30A.
E30A23VS, E30A23VR
STACK SILICON DIFFUSED DIODE
A3 A2 D3 A1
D1
D2
B1
E F
POLARITY
E30A23VS (+ Type) E30A23VR (- Type)
T C2 H
MAXIMUM RATING (Ta=25
CHARACTERISTIC Average Forward Current Peak 1 Cycle Surge Current Repetitive Peak Reverse Surge Current Transient Peak Reverse Voltage Peak Reverse Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range
)
SYMBOL IF(AV) IFSM IRSM VRSM VRM Tj Tstg RATING |
|
E30A23VS | KEC |
STACK SILICON DIFFUSED DIODE SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE APPLICATION.
FEATURES Average Forward Current : IO=30A. Zener Voltage : 23V(Typ.)
POLARITY E30A23VS E30A23VR (+ Type) (- Type)
MAXIMUM RATING (Ta=25 ) CHARACTERISTIC
Average Forward Current Peak 1 Cycle Surge Current Repetitive Peak Reverse Surge Current Transient Peak Reverse Voltage Peak Reverse Voltage Junction Temperature Storage Temperature Range
SYMBOL IF(AV) IFSM
RATING 30
300(50Hz)
UNIT A A
IRSM
30 A
VRSM VRM
Tj Tstg
17 17 -40 190 -40 150
V V
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |