|
E28F800CVB70 даташитФункция этой детали – «8-mbit (512k X 16/ 1024k X 8) Smartvoltage». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
E28F800CVB70 | Intel Corporation |
8-MBIT (512K X 16/ 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY E
PRODUCT PREVIEW
8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
28F800BV-T/B, 28F800CV-T/B, 28F008BV-T/B 28F800CE-T/B, 28F008BE-T/B
Intel SmartVoltage Technology 5V or 12V Program/Erase 2.7V, 3.3V or 5V Read Operation Program Time Reduced 60% at 12V VPP Very High Performance Read 5V: 70/120 ns Max. Access Time, 30/40 ns Max. Output Enable Time 3V: 120/150 ns Max Access 65 ns Max. Output Enable Time 2.7V: 120 ns Max Access 65 ns Max. Output Enable Time Low Power Cons |
Это результат поиска, начинающийся с "28F800CVB70", "E28F800CV" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
E28F800CVT70 | Intel Corporation |
8-MBIT (512K X 16/ 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY E
PRODUCT PREVIEW
8-MBIT (512K X 16, 1024K X 8) SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY
28F800BV-T/B, 28F800CV-T/B, 28F008BV-T/B 28F800CE-T/B, 28F008BE-T/B
Intel SmartVoltage Technology 5V or 12V Program/Erase 2.7V, 3.3V or 5V Read Operation Program Time Reduce |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |