DataSheet26.com


E28F020-150 даташит

Функция этой детали – «28f020 2048k (256k X 8) Cmos Flash Memory».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
E28F020-150 Intel Corporation
Intel Corporation
  28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY

E n n n n n n n 12.0 V ±5% VPP 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY n n n n Command Register Architecture for Microprocessor/Microcontroller Compatible Write Interface Noise Immunity Features  ±10% VCC Tolerance  Maximum Latch-Up Immunity through EPI Processing ETOX™ Nonvolatile Flash Technology  EPROM-Compatible Process Base  High-Volume Manufacturing Experience JEDEC-Standard Pinouts  32-Pin Plastic Dip  32-Lead PLCC  32-Lead TSOP (See Packaging Spec., Order #231369) Flash Electrical Ch
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "28F020", "E28F020-"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
28F020 Intel
Intel

28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY

E n n n n n n n 12.0 V ±5% VPP 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY n n n n Command Register Architecture for Microprocessor/Microcontroller Compatible Write Interface Noise Immunity Features  ±10% VCC Tolerance  Maximum Latch-Up Immunity through EPI Processing ETOX
pdf
Am28F020 AMD
AMD

2 Megabit CMOS 12.0 Volt Bulk Erase Flash Memory

FINAL Am28F020 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory DISTINCTIVE CHARACTERISTICS s High performance — Access times as fast as 70 ns s CMOS low power consumption — 30 mA maximum active current — 100 µA maximum standby current — No data retent
pdf
Am28F020A AMD
AMD

2 Megabit CMOS 12.0 Volt Bulk Erase Flash Memory

FINAL Am28F020A 2 Megabit (256 K x 8-Bit) CMOS 12.0 Volt, Bulk Erase Flash Memory with Embedded Algorithms DISTINCTIVE CHARACTERISTICS s High performance — Access times as fast as 70 ns s CMOS low power consumption — 30 mA maximum active current — 100 µA maximum standby
pdf
CAT28F020 Catalyst Semiconductor
Catalyst Semiconductor

2 Megabit CMOS Flash Memory

CAT28F020 2 Megabit CMOS Flash Memory Licensed Intel second source FEATURES s Fast read access time: 90/120 ns s Low power CMOS dissipation: – Active: 30 mA max (CMOS/TTL levels) – Standby: 1 mA max (TTL levels) – Standby: 100 µA max (CMOS levels) s High speed programmin
pdf
E28F020-120 Intel Corporation
Intel Corporation

28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY

E n n n n n n n 12.0 V ±5% VPP 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY n n n n Command Register Architecture for Microprocessor/Microcontroller Compatible Write Interface Noise Immunity Features  ±10% VCC Tolerance  Maximum Latch-Up Immunity through EPI Processing ETOX
pdf
E28F020-90 Intel Corporation
Intel Corporation

28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY

E n n n n n n n 12.0 V ±5% VPP 28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY n n n n Command Register Architecture for Microprocessor/Microcontroller Compatible Write Interface Noise Immunity Features  ±10% VCC Tolerance  Maximum Latch-Up Immunity through EPI Processing ETOX
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты