|
E28F010-90 даташитФункция этой детали – «28f010 1024k (128k X 8) Cmos Flash Memory». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
E28F010-90 | Intel Corporation |
1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F010 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY
Y
Flash Electrical Chip-Erase 1 Second Typical Chip-Erase Quick Pulse Programming Algorithm 10 ms Typical Byte-Program 2 Second Chip-Program 100 000 Erase Program Cycles 12 0V g 5% VPP High-Performance Read 65 ns Maximum Access Time CMOS Low Power Consumption 10 mA Typical Active Current 50 mA Typical Standby Current 0 Watts Data Retention Power Integrated Program Erase Stop Timer
Y
Y
Command Register Architecture for Microprocessor Microcontroller Compatible Write Interface |
|
E28F010-90 | Intel Corporation |
28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |