|
DS26LS32MQML даташитФункция этой детали – «Ds26ls32mqml Quad Differential Line Receivers (rev. B)». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
DS26LS32MQML | Texas Instruments |
DS26LS32MQML Quad Differential Line Receivers (Rev. B) |
Это результат поиска, начинающийся с "26LS32MQML", "DS26LS32M" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SC2632 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-frequency high breakdown voltage amplification) Transistor
2SC2632
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1124
Unit: mm
5.9± 0.2 4.9± 0.2
q q q
2.54± 0.15
s Absolute Maximum Ratings
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emit |
|
2SK2632LS | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:ENN5531B
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2632LS
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-resistance. · Low Qg.
Package Dimensions
unit:mm 2078B
[2SK2632LS]
10.0
3.5
4.5
2.8
3.2
7.2 16.0
16.1
0.9 1.2
14.0
3.6
0.7
0.75 |
|
2SK2632LS | Sanyo |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:ENN5531B
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2632LS
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-resistance. · Low Qg.
Package Dimensions
unit:mm 2078B
[2SK2632LS]
10.0
3.5
4.5
2.8
3.2
7.2 16.0
16.1
0.9 1.2
14.0
3.6
0.7
0.75 |
|
2SK2632LS | Sanyo Semicon Device |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number:ENN5531B
N-Channel Silicon MOSFET
2SK2632LS
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON-resistance. · Low Qg.
Package Dimensions
unit:mm 2078B
[2SK2632LS]
10.0
3.5
4.5
2.8
3.2
7.2 16.0
16.1
0.9 1.2
14.0
3.6
0.7
0.75 |
|
A43L2632 | AMIC Technology |
1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM
A43L2632
Preliminary
Document Title 1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM Revision History
Rev. No.
0.0
1M X 32 Bit X 4 Banks Synchronous DRAM
History
Initial issue
Issue Date
January 13, 2005
Remark
Preliminary
PRELIMINARY
(January, 2005, Version 0.0) |
|
C2632 | Panasonic Semiconductor |
NPN Transistor - 2SC2632 Transistor
2SC2632
Silicon NPN epitaxial planer type
For low-frequency high breakdown voltage amplification Complementary to 2SA1124
s Features
q Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. q High collector to emitter voltage VCEO. q Small collector output capa |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |