|
DMN4008LFG даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Mosfet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
DMN4008LFG | Diodes |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET NAEDWVAPNRCOED IUNCFTORMATION
DMN4008LFG
40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI®
Product Summary
V(BR)DSS 40V
RDS(ON) max
7.5mΩ @ VGS = 10V 10mΩ @ VGS = 4.5V
ID max TA = +25°C
14.4A
12.5A
Description and Applications
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. • Backlighting • Power Management Functions • DC-DC Converters
Features and Benefits
• L |
Это результат поиска, начинающийся с "4008LFG", "DMN4008" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4008 | LRC |
(1N4001 - 1N4008) General Purpose Plastic Rectifiers 1N4001 thru 1N4008
General Purpose Plastic Rectifiers Reverse Voltage 50 to 1200V Forward Current 1.0A Feature
* Plastic package has Underwriters Laboratories Flammability Classification 94V-0 * Construction utilizes void-free molded plastic technique * Low reverse leakage * High |
|
1N4008 | New Jersey Semiconductor |
Diode 100V 1A 2-Pin DO-41 Bulk |
|
1N4008S | LRC |
General Purpose Plastic Rectifiers 1N4001S thru 1N4008S
General Purpose Plastic Rectifiers
Reverse Voltage 50 to 1200V Forward Current 1.0A
Feature
* Plastic package has Underwriters Laboratories
Flammability Classification 94V-0
* Construction utilizes void-free molded plastic technique
* Low reverse leaka |
|
2N4008 | Crystalonics |
(2N4006 - 2N4011) Silicon Epitaxial Junction PNP Switching Transistor Datasheet.es
Datasheet pdf - http://Datasheet.esaSheet4U.net/
|
|
2SC4008 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor |
|
4008B | Fairchild Semiconductor |
4-Bit Binary Full Adder |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |