DataSheet26.com


DF2S5M4SL даташит

Функция этой детали – «Esd Protection Diodes».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
DF2S5M4SL Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  ESD Protection Diodes

ESD Protection Diodes Silicon Epitaxial Planar DF2S5M4SL DF2S5M4SL 1. Applications • ESD Protection Note: This product is designed for protection against electrostatic discharge (ESD) and is not intended for any other purpose, including, but not limited to, voltage regulation. 2. Packaging and Internal Circuit 1: Cathode 2: Anode SL2 3. Absolute Maximum Ratings (Note) (Unless otherwise specified, Ta = 25 ) Characteristics Symbol Note Rating Unit Electrostatic discharge voltage (IEC61000-4-2)(Contact) El
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2S5M4SL", "DF2S5M"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1008254-501 ar worldwide
ar worldwide

Operating and Service Manual

Operating and Service Manual 20T4G18 Model 1008254-501 Part Number Serial Number http:// Model 20T4G18 2 http:// EC Declaration of Conformity We; Amplifier Research 160 School House Road Souderton, PA 18964 declare that our product; th
pdf
12H2540-2 Power-One
Power-One

50 Watt DC-DC Converters

pdf
12H2540-2 Power-One
Power-One

50 Watt DC-DC Converters

H Series 50 Watt DC-DC Converters Wide input voltage ranges up to 60 V DC 1, 2 or 3 outputs up to 48 V DC 4 kA DC I/O electric strengh test voltage LGA • Rugged electrical and mechanical design • Output 1 regulated, outputs 2 and 3 tracking • Operating ambient temperature
pdf
18254 C&D Technologies
C&D Technologies

Axial Lead Inductors

pdf
18R254 C&D Technologies
C&D Technologies

Radial Lead Inductors

pdf
1N2254 Solid State
Solid State

POWER RECTIFIER

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты