|
D655 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sd655». |
Warning: file_get_contents(https://widget.octopart.com/_widget/search?q=D655&size=1): failed to open stream: HTTP request failed! HTTP/1.1 502 Bad Gateway in /home/data39/supply_search_ad.html on line 2
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| D655 |  Hitachi Semiconductor |
NPN Transistor - 2SD655 2SD655
Silicon NPN Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier, Muting
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
Free Datasheet http:///
2SD655
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Collector current Collector peak current Collector power dissipation Junction temperature Storage temperature Symbol VCBO VCEO VEBO IC iC(peak) PC Tj Tstg Ratings 30 15 5 0.7 1.0 500 150 –55 to +150 Unit V V V A |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "655", "D" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 05146554-5501 |  ETC |
Powerware 5115 BTU Ratings Powerware 5115 BTU Ratings
Power Out (watts) 320 500 670 950 320 500 670 950
Model Number
Part Number
Efficiency* 92% 92% 92% 92% 92% 92% 92% 92%
Power In (watts) 347.8 543.5 728.3 1032.6 347.8 543.5 728.3 1032.6
Loss (watts) 27.8 43.5 58.3 82.6 27.8 43.5 58.3 82.6
Watt Hou |
 |
| 05146555-5501 | ETC |
Powerware 5115 BTU Ratings Powerware 5115 BTU Ratings
Power Out (watts) 320 500 670 950 320 500 670 950
Model Number
Part Number
Efficiency* 92% 92% 92% 92% 92% 92% 92% 92%
Power In (watts) 347.8 543.5 728.3 1032.6 347.8 543.5 728.3 1032.6
Loss (watts) 27.8 43.5 58.3 82.6 27.8 43.5 58.3 82.6
Watt Hou |
|
| 1N5655 |  Microsemi |
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPESSOR 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http://www.microsemi.com
TECHNICAL DATA SHEET
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
1500 WATT UNIDIRECTIONAL TRANSIENT |
|
| 1N5655 |  Littelfuse |
Silicon Avalanche Diodes Silicon Avalanche Diodes
1500 Watt Metal Axial Leaded Transient Voltage Suppressors
1N56 Series
FEATURES
• Hermetically sealed • Breakdown voltage range 6.8 - 200 volts • Glass passivated junction • Excellent clamping capability • Low zener impedance •100% surge test |
|
| 1N5655 |  New Jersey Semiconductor |
Diode TVS Single Uni-Dir 66.4V 1.5KW 2-Pin DO-13 |
|
| 1N5655A |  American Microsemiconductor |
Diode ( Rectifier ) |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |