|
D227 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sd227». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D227 | USHA |
NPN Transistor - 2SD227 Transistors 2SD227
Free Datasheet http://
Free Datasheet http://
|
|
D2271 | Toshiba Semiconductor |
NPN Transistor - 2SD2271 2SD2271
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington Power Transistor)
2SD2271
Motor Drive Applications High-Current Switching Applications
Unit: mm
• High DC current gain: hFE = 500 (min) (VCE = 2 V, IC = 5 A) • High breakdown voltage: VCEO (SUS) = 200 V (min)
Maximum Ratings (Tc = 25°C)
Characteristics
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
DC Pulse
Base current
Collector power dissipation
Ta = 25°C Tc = 25°C
Junction temperature
|
|
D2276 | Panasonic Semiconductor |
NPN Transistor - 2SD2276 Power Transistors
2SD2276
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
2.0 4.0 2.0 3.0
For power amplification Complementary to 2SB1503
s Features
q Optimum for 110W HiFi output q High foward current transfer ratio hFE: 5000 to 30000 q Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat): <2.5V
26.0±0.5
10.0 6.0
20.0±0.5
Unit: mm
φ 3.3±0.2 5.0±0.3
3.0
1.5
1.5
s Absolute Maximum Ratings (TC=25˚C)
Parameter
Symbol
Ratings
Collector to base voltage
Collector to emitter voltage
Emitter to base vo |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |