|
D2118 даташитФункция этой детали – «NPN PlastIC Encapsulated Transistor». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| D2118 |  SeCoS |
NPN Plastic Encapsulated Transistor Elektronische Bauelemente
2SD2118
5A , 50V NPN Plastic Encapsulated Transistor
RoHS Compliant Product A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free
FEATURES
Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V(Typ.) (IC/IB = 4A / 0.1A) Excellent DC Current Gain Characteristics
D-Pack (TO-252)
CLASSIFICATION OF hFE
Product-Rank 2SD2118-Q
Range
120~270
2SD2118-R 180~390
A BC
D
PACKAGE INFORMATION
Package
MPQ
TO-252
2.5K
Leader Size 13 inch
Collector
2
1
Base
3
Emitter
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise |
 |
| D2118 |  ROHM Semiconductor |
NPN Transistor - 2SD2118 Low VCE(sat) transistor (strobe flash)
2SD2118
zFeatures
1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.25V (Typ.) (IC/IB = 4A / 0.1A)
2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Complements the 2SB1412.
zDimensions (Unit : mm)
2SD2118
zStructure Epitaxial planar type NPN silicon transistor
ROHM : CPT3 EIAJ : SC-63
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Parameter
Symbol
Limits
Collector-base voltage
VCBO
50
Collector-emitter voltage
VCEO
20
Emitter-base voltage
VEBO
6
Collector current
IC 5 ICP 10
Collector power
|
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
 |
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |