DataSheet26.com


D209L даташит

Функция этой детали – «SilICon NPN Power Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D209L Winsemi
Winsemi
  High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor

Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/
pdf
D209L New Jersey Semi-Conductor
New Jersey Semi-Conductor
  Silicon NPN Power Transistor

tJ 20 STERN AVE. SPRINGFIELD, NEW JERSEY 07081 U.S.A. , One.. Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION • High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) • High Switching Speed • High Reliability APPLICATIONS • Switching regulators • Ultrasonic generators • High frequency inverters • General purpose power amplifiers TELEPHONE: (973) 376-2922 (212)227-6005 FAX: (973) 376-8960 D209L i 1 23 PIN 1.BASE 2.COLLECTOR 3. BETTER TO-3PN package uQi ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25r) SYMBOL P
pdf
D209L Jilin Sino
Jilin Sino
  HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD209L 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS IC VCEO PC 12A 400V 120W 封装 Package 用途 z 节能灯 z 电子镇流器 z 高频开关电源 z 高频功率变换 z 一般功率放大电路 APPLICATIONS z Energy-saving light z Electronic ballasts z High frequency switching power supply z High frequency power transform z Commonly power amplifier 产品特性 z高耐压 z高电流容量 z高开关速度 z高可靠性 z环保(RoHS
pdf
D209L Jilin Sino
Jilin Sino
  Case rated low frequency amplification bipolar transistor

R 3DD 209L µÍƵ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¶¨µÄË«¼«Ð;§Ìå¹Ü D209L ²úÆ·ÌØÐÔ ¡ô ¸ßÄÍѹ ¡ô ¸ßµçÁ÷ÈÝÁ¿ ¡ô ¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¡ô ¸ß¿É¿¿ÐÔ Ö÷ÒªÓÃ; ¡ô ¸ßƵ¿ª¹ØµçÔ´ ¡ô µç×ÓÕòÁ÷Æ÷ ¡ô ¸ßƵ¹¦Âʱ任 ¡ô Ò»°ã¹¦ÂÊ·Å´óµç· ÒýÏ߶ËÐòºÅ¼°µÈЧµç·ͼ ¸ÅÊö 3DD 209L ÊÇ NPN Ë«¼«ÐÍ´ó¹¦Âʾ§Ìå¹Ü £¬ ÖÆÔìÖвÉÓà µÄÖ÷Òª¹¤ÒÕ¼¼ÊõÓÐ £º ¸ßѹƽÃ湤
pdf
D209L Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
  Silicon NPN Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor DESCRIPTION ·High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V(Min) ·High Switching Speed ·High Reliability isc Product Specification D209L APPLICATIONS ·Switching regulators ·Ultrasonic generators ·High frequency inverters ·General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 700 V VCEO Collector-Emitter Voltage 400 V VEBO Emitter-Base voltage 9V IC Collector Cu
pdf
D209L ETC
ETC
  Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors

R 3DD 209L µÍƵ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¶¨µÄË«¼«Ð;§Ìå¹Ü D209L ²úÆ·ÌØÐÔ ¡ô ¸ßÄÍѹ ¡ô ¸ßµçÁ÷ÈÝÁ¿ ¡ô ¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¡ô ¸ß¿É¿¿ÐÔ Ö÷ÒªÓÃ; ¡ô ¸ßƵ¿ª¹ØµçÔ´ ¡ô µç×ÓÕòÁ÷Æ÷ ¡ô ¸ßƵ¹¦Âʱ任 ¡ô Ò»°ã¹¦ÂÊ·Å´óµç· ÒýÏ߶ËÐòºÅ¼°µÈЧµç·ͼ ¸ÅÊö 3DD 209L ÊÇ NPN Ë«¼«ÐÍ´ó¹¦Âʾ§Ìå¹Ü £¬ ÖÆÔìÖвÉÓà µÄÖ÷Òª¹¤ÒÕ¼¼ÊõÓÐ £º
pdf
D209L ATE
ATE
  NPN Transistor

pdf
D209L ATE
ATE
  Transistor

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты