|
D17P137ACT даташитФункция этой детали – « Upd17p137act». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D17P137ACT | NEC |
UPD17P137ACT
µPD17134A SUBSERIES
4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER
µPD17134A µPD17135A µPD17136A µPD17137A µPD17P136A µPD17P137A
©
1993
Document No. U11607EJ3V0UM00 (3rd edition) Date Published December 1996 N Printed in Japan
NOTES FOR CMOS DEVICES
1 PRECAUTION AGAINST ESD FOR SEMICONDUCTORS Note: Strong electric field, when exposed to a MOS device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as mu |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |