DataSheet26.com


D17P137ACT даташит

Функция этой детали – « Upd17p137act».



Показать результаты поиска

scroll
[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D17P137ACT NEC
NEC
   UPD17P137ACT

µPD17134A SUBSERIES 4-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLER µPD17134A µPD17135A µPD17136A µPD17137A µPD17P136A µPD17P137A © 1993 Document No. U11607EJ3V0UM00 (3rd edition) Date Published December 1996 N Printed in Japan NOTES FOR CMOS DEVICES 1 PRECAUTION AGAINST ESD FOR SEMICONDUCTORS Note: Strong electric field, when exposed to a MOS device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as mu
pdf
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты