|
D1668 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1668». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1668 | Sanyo |
NPN Transistor - 2SD1668 Ordering number:2094B
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SB1135/2SD1668
50V/7A Switching Applications
Applications
· Relay drivers, high-speed inverters, converters, and other general high-current switching applications.
Features
· Low-saturation collector-to-emitter voltage : VCE(sat)=–0.4V max. · Wide ASO leading to high resistance to breakdown. · Micaless package facilitating mounting.
Package Dimensions
unit:mm 2041A
[2SB1135/2SD1668]
( ) : 2SB1135
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta |
Это результат поиска, начинающийся с "1668", "D1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1668 | Motorola Semiconductors |
Dual Clocked Latch |
|
1668 | Unisonic Technologies |
DUAL TONE MELODY XMAS LIGHT CONTROL UTC 1668
DUAL TONE MELODY XMAS LIGHT CONTROL
FEATURES
* 5 SCR outputs. * 2 Mode sequence trigger key * Mode 0: 7 function Vol pin control volume. Mode 1: 8 function Auto Volume control. * OPT: ”Floation” Mode 0 “VSS” Mode 1. APPLICATION * Xmas light control etc..
CMOS IC |
|
2SA1668 | ETC |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(TV Vertical Output/ Audio Output Driver and General Purpose) 2SA1667/1668
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor (Complement to type 2SC4381/4382) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol 2SA1667 VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg –150 –150 –6 –2 –1 25(Tc=25°C) 150 –55 to +150 2SA1668 –200 –200 Unit V V V A A W °C °C IE |
|
2SA1668 | SavantIC |
(2SA1667 / 2SA1668) SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SA1667 2SA1668
DESCRIPTION ·With TO-220F package ·Complement to type 2SC4381/4382 APPLICATIONS ·For TV vertical output ,audio output driver and general purpose applications
PINN |
|
2SA1668 | Inchange Semiconductor |
POWER TRANSISTOR Datasheet.esaSheet4U.net
INCHANGE Semiconductor
isc Product Specification
isc Silicon PNP Power Transistor
2SA1668
DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage: V(BR)CEO= -200V(Min) ·DC Current Gain: hFE= 60(Min)@ (VCE= -10V, IC= -0.7A) ·Complement to Type 2SC4382
APPLICA |
|
2SB1668 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor
2SB1668
Transistors
Power Transistor (−100V, −8A)
2SB1668
!Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SD2607. !External dimensions (Units : mm)
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |