|
D1649 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1649». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| D1649 |  Sanyo |
NPN Transistor - 2SD1649 |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "1649", "D1" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N1649 |  New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 Box |
 |
| 2SA1649 |  Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SA1649
DESCRIPTION ·Available for high-current control in small dimension ·Low collector saturation voltage:
VCE(sat)= -0.3V(Max)@ IC= -3A ·Fast switching speed ·High DC current gain and excellent linearity ·100% ava |
|
| 2SA1649 |  NEC |
PNP Silicon Power Transistor DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1649, 2SA1649-Z
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
The 2SA1649 is a mold power transistor developed for highspeed switching and features a very low collector-to-emitter saturation voltage.
This transistor is ide |
|
| 2SA1649-Z | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SA1649-Z
DESCRIPTION ·Available for high-current control in small dimension ·Low collector saturation voltage:
VCE(sat)= -0.3V(Max)@ IC= -3A ·Fast switching speed ·High DC current gain and excellent linearity ·100% a |
|
| 2SA1649-Z | NEC |
PNP Silicon Power Transistor DATA SHEET
SILICON POWER TRANSISTOR
2SA1649, 2SA1649-Z
PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR FOR HIGH-SPEED SWITCHING
The 2SA1649 is a mold power transistor developed for highspeed switching and features a very low collector-to-emitter saturation voltage.
This transistor is ide |
|
| 2SB1649 |  ETC |
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor
(7 0 Ω ) E
Darlington
sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SB1649 –150 –150 –5 –15 –1 85(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
2SB1649
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hF |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |