DataSheet26.com


D1410A даташит

Функция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1410a».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1410A Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor
  NPN Transistor - 2SD1410A

Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/ Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1410A", "D14"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SD1410A Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR

2SD1410A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington) 2SD1410A High Voltage Switching Applications Industrial Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Sym
pdf
BM1410A bookly
bookly

2.2A Step-Down Converter

2.2A Step-Down Converter FEATURES  2.2A Output Current BM1410A GENERAL DESCRIPTION The BM1410A is a current-mode step-down DC-DC converter that generates up to 2.2A output current at 380kHz switching frequency. The device utilizes advanced BCD process for operation with input
pdf
CY7C1410AV18 Cypress Semiconductor
Cypress Semiconductor

(CY7C14xxAV18) 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

CY7C1410AV18 CY7C1425AV18 CY7C1412AV18 CY7C1414AV18 36-Mbit QDR-II™ SRAM 2-Word Burst Architecture Features • Separate Independent Read and Write data ports — Supports concurrent transactions • 250-MHz clock for high bandwidth • 2-Word Burst on all accesses • Double
pdf
EM91410A ELAN Microelectronics
ELAN Microelectronics

TONE/PULSE SWITCHABLE DIALER

EM9E1M4911041S0ESRERIEIESS TONE/PULTSOENSEW/PUITLSCEHSAWBITLCEHDAIBALLE EDRIAWLEIRTWHILTHCDLCIDNITNETRERFFAACCEE AND DUAANDL-DTUOANLE-TOMNEELMOEDLYODGYEGNEENRERAATTOORR GENERAL DESCRIPTION The EM91410 is a series of tone/pulse switchable dialers that is composed of T/P dialer an
pdf
PCI1410A Texas Instruments
Texas Instruments

PCI1410A GHK/GGU/PGE PC Card Controllers

pdf
PF01410A Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone

PF01410A MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone ADE-208-424B (Z) Product Preview 3rd. Edition November 1997 Application • For GSM class4 890 to 915 MHz Features • • • • 4.8 V operation 2 stage amplifier Small package High efficiency : 45% Typ High speed sw
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты