|
D1410A даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1410a». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1410A | Toshiba Semiconductor |
NPN Transistor - 2SD1410A Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/
Free Datasheet http://www.datasheet-pdf.com/
|
Это результат поиска, начинающийся с "1410A", "D14" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SD1410A | Toshiba Semiconductor |
Silicon NPN Triple Diffused Type TRANSISTOR 2SD1410A
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type (Darlington)
2SD1410A
High Voltage Switching Applications
Industrial Applications Unit: mm
• High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = 2 V, IC = 2 A)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Characteristics
Sym |
|
BM1410A | bookly |
2.2A Step-Down Converter 2.2A Step-Down Converter
FEATURES
2.2A Output Current
BM1410A
GENERAL DESCRIPTION
The BM1410A is a current-mode step-down DC-DC converter that generates up to 2.2A output current at 380kHz switching frequency. The device utilizes advanced BCD process for operation with input |
|
CY7C1410AV18 | Cypress Semiconductor |
(CY7C14xxAV18) 36-Mbit QDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture CY7C1410AV18 CY7C1425AV18 CY7C1412AV18 CY7C1414AV18
36-Mbit QDR-II™ SRAM 2-Word Burst Architecture
Features
• Separate Independent Read and Write data ports — Supports concurrent transactions • 250-MHz clock for high bandwidth • 2-Word Burst on all accesses • Double |
|
EM91410A | ELAN Microelectronics |
TONE/PULSE SWITCHABLE DIALER EM9E1M4911041S0ESRERIEIESS
TONE/PULTSOENSEW/PUITLSCEHSAWBITLCEHDAIBALLE EDRIAWLEIRTWHILTHCDLCIDNITNETRERFFAACCEE AND DUAANDL-DTUOANLE-TOMNEELMOEDLYODGYEGNEENRERAATTOORR
GENERAL DESCRIPTION
The EM91410 is a series of tone/pulse switchable dialers that is composed of T/P dialer an |
|
PCI1410A | Texas Instruments |
PCI1410A GHK/GGU/PGE PC Card Controllers |
|
PF01410A | Hitachi Semiconductor |
MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone PF01410A
MOS FET Power Amplifier Module for GSM Handy Phone
ADE-208-424B (Z) Product Preview 3rd. Edition November 1997 Application
• For GSM class4 890 to 915 MHz
Features
• • • • 4.8 V operation 2 stage amplifier Small package High efficiency : 45% Typ High speed sw |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |