![]() |
D1409 даташит PDFЭто NPN Transistor - 2sd1409. На странице результатов поиска D1409 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1409 | ![]() SavantIC |
NPN Transistor - 2SD1409 SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SD1409
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Igniter applications ·High volitage switching applications
PINNING PIN DE 1 2 3 Base Collector Emitter SCRIPTION
Absolute maximum ratings(Ta=25 )
SYMBOL P VCBO VCEO VEBO IC IB ARAMETER Collector-base voltage Collector -emitter voltage Emitter-base voltage Collector current Base current TC=25 PC Collector power dissipation Ta=2 |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "1409", "D1" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SB1409 | ![]() Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SB1409(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S)
Outline
DPAK
4 4
1
2
3 12
S Type
3
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector
L Type
2SB1409(L)/(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collec |
![]() |
2SB1409L | ![]() Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SB1409(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S)
Outline
DPAK
4 4
1
2
3 12
S Type
3
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector
L Type
2SB1409(L)/(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collec |
![]() |
2SB1409S | ![]() Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SB1409(L)/(S)
Silicon PNP Epitaxial
Application
Low frequency power amplifier complementary Pair with 2SD2123(L)/(S)
Outline
DPAK
4 4
1
2
3 12
S Type
3
1. Base 2. Collector 3. Emitter 4. Collector
L Type
2SB1409(L)/(S)
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collec |
![]() |
2SB1409S | ![]() Kexin |
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor SMD Type
Transistors
Silicon NPN Triple Diffused Type Transistor 2SB1409S
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Unit: mm 2.30
+0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1
6.50 +0.2 5.30-0.2
+0.15 -0.15
Features
+0.2 9.70 -0.2
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50 -0.15
0.127 max
2.3
+0.15 4.60-0.15
+0.1 0.60-0.1
+0 |
![]() |
2SD1409 | ![]() Wing Shing Computer Components |
SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR(GENERAL DESCRIPTION) 2SD1409
GENERAL DESCRIPTION
SILICON NPN DARLINGTON TRANSISTOR
Darington transistor are designed for use as general purpose amplifiers, switching and motor control applications.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
TO-220F
CONDITIONS VBE = 0V MIN
VCESM VCEO IC ICM Ptot VCEsat Icsat VF |
![]() |
2SD1409 | ![]() SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SD1409
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·High DC current gain ·DARLINGTON APPLICATIONS ·Igniter applications ·High volitage switching applications
PINNING PIN 1 2 3 Base Co |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |