|
D13005A даташитФункция этой детали – «Low-frequency AmplifICation Shell Rated Bipolar Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D13005A | ETC |
Low-frequency amplification shell rated bipolar transistors
R
µÍÆ·Å´ó¹Ü¿Ç¶î¨ÄË«¼Ð¾§Ìå
D13005A
²úÆ·ÌØÐÔ
¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô
¸ßÄÍѹ ¸ßµçÁ÷ÈÝ¿ ¸ß¿ª¹ØËÙ¶È ¸ß¿ÉÐÔ »·±£¨ RoHS£©²úÆ·
Ö÷ÒªÓÃ;
¡ô ¡ô ¡ô ¡ô ¡ô
½ÚÄÜµÆ µç×ÓÕòÁ÷Æ ¸ßƵ¿ª¹ØçÔ´ ¸ßƵ¹¦ÂÊ±ä» Ò»°ã¹¦ÂÊ·Å´óµç
¸ÅÊö
3DD13005A ÊÇ ÓõÄÖ÷Òª¹¤Õ¼ÊõУº¸ßÑƽ桢ÈýØÀ©É ¼ÊõµÈ£¬²¢ÇÒÉ¡ÁËÄܹ»×î´óÏÞ¶æç÷Ý¿Óë Ä |
Это результат поиска, начинающийся с "13005A", "D130" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
13005A | ETC |
NPN SILICON TRANSISTOR NPN
SILICON
TRANSISTOR ¶ÔÓ¦¹úÍâкŠ3DD13005A
¹ãÖݽðÓÀ ûµç× ÐÏÞ «Ë¾ A1 ¨€
¸ßѹ¿ìËÙªØ
13005A
¨€ ÍâÐÎ ¼ °Òý½Å Á
Ö÷ÒªÓÃ;
¨€
¼«ÏÞÖµ
£¨
Ta=25¡æ£©
¡-¡¡-¡-¡¡-¡-¡-¡-¡£¨ Tc=25¡æ£© µçÑ |
|
3DD13005A | ETC |
NPN SILICON TRANSISTOR NPN
SILICON
TRANSISTOR ¶ÔÓ¦¹úÍâкŠ3DD13005A
¹ãÖݽðÓÀ ûµç× ÐÏÞ «Ë¾ A1 ¨€
¸ßѹ¿ìËÙªØ
13005A
¨€ ÍâÐÎ ¼ °Òý½Å Á
Ö÷ÒªÓÃ;
¨€
T stg ¡ ª ¡ ª Tj¡ª¡ª½áΠPC¡ª¼¯µç«¹¦ÂʺÄÉ¢
¼«ÏÞÖµ
£ |
|
3DD13005A | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R
NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
3DD13005A
主要参数
IC VCEO PC(TO-126) PC(TO-220)
MAIN CHARACTERISTICS
4A 400V 40W 75W
封装 Package
用途
z z z z z 节能灯 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 � |
|
3DD13005A1 | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN bipolar transistor low-frequency amplification 华润华晶分立器件 硅 NPN 低频放大双极型晶体管
○R
3DD13005A1
1 产品概述:
3DD13005A1 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺, 特征参数
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、� |
|
3DD13005A3 | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13005 A3
○R
产品概述
3DD13005 A3 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
产品特点 |
|
3DD13005A7 | Huajing Microelectronics |
Silicon NPN Transistor 硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13005 A7
○R
产品概述
3DD13005 A7 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品 采用平面工艺,分压环终端 结构和少子寿命控制技术, 提高了产品的击穿电压、开 关速度和可靠性。
产品特点 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |