|
D1260UK даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1260UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET |
Это результат поиска, начинающийся с "1260UK", "D126" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1260PT | nELL |
Phase Control Thyristors SEMICONDUCTOR
RRooHHSS
SEMICONDUCTOR
1260PT Series RRooHHSS
www.nellsemi.com
Page 2 of 2
|
|
2SB1260 | ROHM Semiconductor |
Power Transistor 2SB1260 / 2SB1181
PNP -1.0A -80V Middle Power Transistor
Parameter
VCEO IC
Value
-80V -1.0A
lOutline
MPT3
Base Collector
Emitter
lFeatures
1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SD1898 / 2SD1733 3) Low VCE(sat)
VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -500mA/ - |
|
2SB1260 | Weitron Technology |
PNP Plastic-Encapsulate Transistor 2SB1260
PNP Plastic-Encapsulate Transistor
SOT-89
1
1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER
2
3
C) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25%
Rating
Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Symbol VCEO VCBO VEBO IC I CP Collector Power Dissipation |
|
2SB1260 | Unisonic Technologies |
POWER TRANSISTOR UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
2SB1260
POWER TRANSISTOR
PNP SILICON TRANSISTOR
1
DESCRIPTION
The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor.
SOT-89
FEATURES
*High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A *Good hFE linearity. *Low VCE(SAT)
|
|
2SD1260 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) Power Transistors
2SD1260, 2SD1260A
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For power amplification Complementary to 2SB937 and 2SB937A
10.0±0.3
8.5±0.2 6.0±0.5
3.4±0.3
Unit: mm
1.0±0.1
q q q
High foward current transfer ratio hFE High-speed switching N typ |
|
2SD1260 | Panasonic Semiconductor |
Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching) Power Transistors
2SD1260, 2SD1260A
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington
For power amplification Complementary to 2SB937 and 2SB937A
10.0±0.3
8.5±0.2 6.0±0.5
3.4±0.3
Unit: mm
1.0±0.1
q q q
High foward current transfer ratio hFE High-speed switching N typ |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |