DataSheet26.com


D1260UK даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1260UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1260UK", "D126"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1260PT nELL
nELL

Phase Control Thyristors

SEMICONDUCTOR RRooHHSS SEMICONDUCTOR 1260PT Series RRooHHSS www.nellsemi.com Page 2 of 2
pdf
2SB1260 ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor

Power Transistor

2SB1260 / 2SB1181 PNP -1.0A -80V Middle Power Transistor Parameter VCEO IC Value -80V -1.0A lOutline MPT3 Base Collector Emitter lFeatures 1) Suitable for Middle Power Driver 2) Complementary NPN Types : 2SD1898 / 2SD1733 3) Low VCE(sat) VCE(sat)= -0.4V Max. (IC/IB= -500mA/ -
pdf
2SB1260 Weitron Technology
Weitron Technology

PNP Plastic-Encapsulate Transistor

2SB1260 PNP Plastic-Encapsulate Transistor SOT-89 1 1. BASE 2. COLLECTOR 3. EMITTER 2 3 C) ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25% Rating Collector-Emitter Voltage Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Symbol VCEO VCBO VEBO IC I CP Collector Power Dissipation
pdf
2SB1260 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

POWER TRANSISTOR

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB1260 POWER TRANSISTOR PNP SILICON TRANSISTOR 1 DESCRIPTION The UTC 2SB1260 is a epitaxial planar type PNP silicon transistor. SOT-89 FEATURES *High breakdown voltage and high current. BVCEO= -80V, IC= -1A *Good hFE linearity. *Low VCE(SAT)
pdf
2SD1260 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification)

Power Transistors 2SD1260, 2SD1260A Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SB937 and 2SB937A 10.0±0.3 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±0.1 q q q High foward current transfer ratio hFE High-speed switching N typ
pdf
2SD1260 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon PNP epitaxial planar type Darlington(For power amplification and switching)

Power Transistors 2SD1260, 2SD1260A Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington For power amplification Complementary to 2SB937 and 2SB937A 10.0±0.3 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±0.1 q q q High foward current transfer ratio hFE High-speed switching N typ
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты