DataSheet26.com


D1082UK даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1082UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET LAB MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches) 6.35 (0.250) 0.64 (0.025) 5.33 (0.210) 0.89 (0.035) 2 pls. 2.29 (0.090) 0.51 (0.020) REF. 0.64 4.32 (0.170) (0.025) SEME D1082UK METAL GATE RF SILICON FET 4 7˚ ± 1˚ 7˚ ± 1˚ 7˚ ± 1˚ 6.10 (0.240) 1.14 (0.045) GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 4W – 28V – 200MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS 1 16.76 (0.660) 2 3 2.29 (0.090) 4.57
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1082UK", "D108"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SA1082 Hitachi Semiconductor
Hitachi Semiconductor

Silicon PNP Epitaxial

2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 Silicon PNP Epitaxial Application • Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC2396, 2SC2543 and 2SC2544 Outline TO-92 (1) 1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1 2SA1025, 2SA1081, 2SA1082 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Collec
pdf
2SA1082 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon PNP Power Transistor

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Transistor isc RF Product Specification 2SA1082 DESCRIPTION ·High Voltage APPLICATIONS ·Design For Amplifier and general purpose applications . ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Volt
pdf
2SK1082 Fuji Electric
Fuji Electric

N-Channel Silicon Power MOS-FET

w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
2SK1082 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor isc Product Specification 2SK1082 DESCRIPTION ·Drain Current –ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=900V(Min) APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25
pdf
2SK1082-01 Fuji Electric
Fuji Electric

N-Channel Silicon Power MOS-FET

w w w t a .D S a e h U 4 t e .c m o w w w .D a S a t e e h U 4 t m o .c
pdf
61082 Micropac Industries
Micropac Industries

FIBER OPTIC PIN PHOTODIODE

61082 FIBER OPTIC PIN PHOTODIODE Mii OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION Features: • • • • Hermetically sealed Optimized for fiber optic applications using 50200µm fiber Electrically isolated TO-46 package Spectrally matched to the 62074 series LED. Applications: • �
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты