|
D1082UK даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1082UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
LAB
MECHANICAL DATA Dimensions in mm (inches)
6.35 (0.250) 0.64 (0.025) 5.33 (0.210) 0.89 (0.035) 2 pls. 2.29 (0.090) 0.51 (0.020) REF.
0.64 4.32 (0.170) (0.025)
SEME
D1082UK
METAL GATE RF SILICON FET
4
7˚ ± 1˚ 7˚ ± 1˚ 7˚ ± 1˚
6.10 (0.240)
1.14 (0.045)
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 4W – 28V – 200MHz SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS
1
16.76 (0.660)
2
3
2.29 (0.090) 4.57 |
Это результат поиска, начинающийся с "1082UK", "D108" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1082 | Hitachi Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial 2SA1025, 2SA1081, 2SA1082
Silicon PNP Epitaxial
Application
• Low frequency amplifier • Complementary pair with 2SC2396, 2SC2543 and 2SC2544
Outline
TO-92 (1)
1. Emitter 2. Collector 3. Base 3 2 1
2SA1025, 2SA1081, 2SA1082
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)
Item Collec |
|
2SA1082 | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor INCHANGE Semiconductor
isc Silicon PNP Transistor
isc RF Product Specification
2SA1082
DESCRIPTION ·High Voltage
APPLICATIONS ·Design For Amplifier and general purpose applications .
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VCBO Collector-Base Volt |
|
2SK1082 | Fuji Electric |
N-Channel Silicon Power MOS-FET w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
2SK1082 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
2SK1082
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=900V(Min)
APPLICATIONS ·Designed for high voltage, high speed power switching
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 |
|
2SK1082-01 | Fuji Electric |
N-Channel Silicon Power MOS-FET w
w
w
t a .D
S a
e h
U 4 t e
.c
m o
w
w
w
.D
a
S a t
e e h
U 4 t
m o .c
|
|
61082 | Micropac Industries |
FIBER OPTIC PIN PHOTODIODE 61082
FIBER OPTIC PIN PHOTODIODE
Mii
OPTOELECTRONIC PRODUCTS DIVISION
Features: • • • • Hermetically sealed Optimized for fiber optic applications using 50200µm fiber Electrically isolated TO-46 package Spectrally matched to the 62074 series LED.
Applications: • � |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |