|
D1019UK даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1019UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1019UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C
1 2
4 3
A
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED
B
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
D G H
• LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS
E F
PIN 1 PIN 3
DRAIN GATE
PIN 2 PIN 4
SOURCE SOURCE
• LOW NOISE • HIGH GAIN – 16 dB MINIMUM
DIM A B C D E F G H
mm 26.16 5.72 45° 7.11 0.13 1.52 0.43 7.67
Tol. 0.13 0.13 5° 0.13 0.02 0.13 0.20 REF
Inches 1.030 0.22 |
Это результат поиска, начинающийся с "1019UK", "D101" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
10190 | Signetics |
4 Bit Arithmetic Logic Unit / Function Generator |
|
10191 | Philips |
Hex ECL / MST Translator |
|
2SB1019 | ETC |
2SB1019
ww
w.D a
taS hee
t4U
.co m
|
|
2SB1019 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
2SB1019
DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SD1412 APPLICATIONS ·High current switching applications ·Power amplifier applications
P |
|
2SK1019 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
|
2SK1019 | Inchange Semiconductor |
N-Channel MOSFET Transistor INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
DESCRIPTION ·Drain Current –ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage-
: VDSS=450V(Min)
APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching
isc Product Specification
2SK1019
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |