DataSheet26.com


D1019UK даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1019UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1019UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C 1 2 4 3 A GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED B FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS D G H • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS E F PIN 1 PIN 3 DRAIN GATE PIN 2 PIN 4 SOURCE SOURCE • LOW NOISE • HIGH GAIN – 16 dB MINIMUM DIM A B C D E F G H mm 26.16 5.72 45° 7.11 0.13 1.52 0.43 7.67 Tol. 0.13 0.13 5° 0.13 0.02 0.13 0.20 REF Inches 1.030 0.22
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1019UK", "D101"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
10190 Signetics
Signetics

4 Bit Arithmetic Logic Unit / Function Generator

pdf
10191 Philips
Philips

Hex ECL / MST Translator

pdf
2SB1019 ETC
ETC

2SB1019

ww w.D a taS hee t4U .co m
pdf
2SB1019 SavantIC
SavantIC

SILICON POWER TRANSISTOR

SavantIC Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB1019 DESCRIPTION ·With TO-220Fa package ·Low saturation voltage ·Complement to type 2SD1412 APPLICATIONS ·High current switching applications ·Power amplifier applications P
pdf
2SK1019 Fuji Electric
Fuji Electric

N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

pdf
2SK1019 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

N-Channel MOSFET Transistor

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor DESCRIPTION ·Drain Current –ID=35A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS=450V(Min) APPLICATIONS ·high voltage, high speed power switching isc Product Specification 2SK1019 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL AR
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты