|
D1019 даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1019 | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1019UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C
1 2
4 3
A
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED
B
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
D G H
• LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS
E F
PIN 1 PIN 3
DRAIN GATE
PIN 2 PIN 4
SOURCE SOURCE
• LOW NOISE • HIGH GAIN – 16 dB MINIMUM
DIM A B C D E F G H
mm 26.16 5.72 45° 7.11 0.13 1.52 0.43 7.67
Tol. 0.13 0.13 5° 0.13 0.02 0.13 0.20 REF
Inches 1.030 0.22 |
|
D1019UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |