DataSheet26.com


D1019 даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1019 Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1019UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C 1 2 4 3 A GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED B FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS D G H • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS E F PIN 1 PIN 3 DRAIN GATE PIN 2 PIN 4 SOURCE SOURCE • LOW NOISE • HIGH GAIN – 16 dB MINIMUM DIM A B C D E F G H mm 26.16 5.72 45° 7.11 0.13 1.52 0.43 7.67 Tol. 0.13 0.13 5° 0.13 0.02 0.13 0.20 REF Inches 1.030 0.22
pdf
D1019UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты