|
D1018 даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1018 | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1018UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
B A C E (2 pls)
K
1
2
3
4
F
G
8
J Typ.
7
6
5
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 100W – 28V – 500MHz PUSH–PULL
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
D M Q
P
I
N
O
H
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM
DD
PIN 1 PIN 3 PIN 5 PIN 7 SOURCE (COMMON) DRAIN 2 SOURCE (COMMON) GATE 1 DIM A B C D E F G H I J K M N O P Q mm 9.14 12.70 45° 6.8 |
|
D1018UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |