DataSheet26.com


D1018 даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1018 Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1018UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA B A C E (2 pls) K 1 2 3 4 F G 8 J Typ. 7 6 5 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 100W – 28V – 500MHz PUSH–PULL FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN D M Q P I N O H • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 10 dB MINIMUM DD PIN 1 PIN 3 PIN 5 PIN 7 SOURCE (COMMON) DRAIN 2 SOURCE (COMMON) GATE 1 DIM A B C D E F G H I J K M N O P Q mm 9.14 12.70 45° 6.8
pdf
D1018UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты