|
D1013UK даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1013UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1013UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
C N (typ) B 3 D (2 pls)
2 1 A
F (2 pls) H J
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 500MHz SINGLE ENDED
FEATURES
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN
M
I
E
K
G
• SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • USEFUL PO AT 1GHz
DP
PIN 1 PIN 3 SOURCE GATE PIN 2 DRAIN
DIM mm A 16.51 B 6.35 C 45° D 3.30 E 18.92 F 1.52 G 2.16 H 14.22 I 1.52 J 6.35 K 0.13 M 5.08 N 1.27 x 45°
Tol. 0.25 0.13 5° 0.13 0.08 0.13 0.13 0.08 0.13 |
Это результат поиска, начинающийся с "1013UK", "D101" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
10130 | Philips |
Dual D Type Latch |
|
10132 | Philips |
Dual 2 Input Multiplexer |
|
2690-1013 | TycoElectronics |
CoaxialLimiters Coaxial Limiters
V 4.00
2690 Series
Features
n Broadband Frequency Ranges n Environmentally Sealed n Feedback Leveling n Small Size n Reduced VSWR
OUTLINE 1
Description
M/A-COM’s standard limiter series 2690 is a line of completely passive solid state receiver protectors. T |
|
2SA1013 | Toshiba Semiconductor |
Silicon PNP Epitaxial Type Transistor TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
2SA1013
Color TV Verttical Deflection Output Applications Power Switching Applications
2SA1013
Unit: mm
• High voltage: VCEO = −160 V • Large continuous collector current capability
• Recommended for vertical d |
|
2SA1013 | Suoerltd |
PNP Transistor ( -170V, -1.5A ) 2SA1013
█主要用途
PNP:音频输出及场扫描输出
█极限值(TA=25℃)
参数说明
集电极—基极电压 集电极—发射极电压 发射极—基极电压 集电极电流 集电极耗散功率 结温 TC=25℃
参数符号 VCBO VCEO VEBO IC PC TJ
数值 -2 |
|
2SA1013 | WEJ |
-160V, Silicon PNP Transistor, TO-92MOD RoHS
2SA1013
2SA1013
FEATURE Power dissipation
TRANSISTOR (PNP)
TO-92MOD
1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE
PCM : 0.9 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1A Collector-base voltage V(BR)CBO : -160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |