DataSheet26.com


D1013UK даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1013UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1013UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA C N (typ) B 3 D (2 pls) 2 1 A F (2 pls) H J GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 500MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN M I E K G • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • USEFUL PO AT 1GHz DP PIN 1 PIN 3 SOURCE GATE PIN 2 DRAIN DIM mm A 16.51 B 6.35 C 45° D 3.30 E 18.92 F 1.52 G 2.16 H 14.22 I 1.52 J 6.35 K 0.13 M 5.08 N 1.27 x 45° Tol. 0.25 0.13 5° 0.13 0.08 0.13 0.13 0.08 0.13
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1013UK", "D101"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
10130 Philips
Philips

Dual D Type Latch

pdf
10132 Philips
Philips

Dual 2 Input Multiplexer

pdf
2690-1013 TycoElectronics
TycoElectronics

CoaxialLimiters

Coaxial Limiters V 4.00 2690 Series Features n Broadband Frequency Ranges n Environmentally Sealed n Feedback Leveling n Small Size n Reduced VSWR OUTLINE 1 Description M/A-COM’s standard limiter series 2690 is a line of completely passive solid state receiver protectors. T
pdf
2SA1013 Toshiba Semiconductor
Toshiba Semiconductor

Silicon PNP Epitaxial Type Transistor

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) 2SA1013 Color TV Verttical Deflection Output Applications Power Switching Applications 2SA1013 Unit: mm • High voltage: VCEO = −160 V • Large continuous collector current capability • Recommended for vertical d
pdf
2SA1013 Suoerltd
Suoerltd

PNP Transistor ( -170V, -1.5A )

2SA1013 █主要用途 PNP:音频输出及场扫描输出 █极限值(TA=25℃) 参数说明 集电极—基极电压 集电极—发射极电压 发射极—基极电压 集电极电流 集电极耗散功率 结温 TC=25℃ 参数符号 VCBO VCEO VEBO IC PC TJ 数值 -2
pdf
2SA1013 WEJ
WEJ

-160V, Silicon PNP Transistor, TO-92MOD

RoHS 2SA1013 2SA1013 FEATURE Power dissipation TRANSISTOR (PNP) TO-92MOD 1. EMITTER 2. COLLECTOR 3. BASE PCM : 0.9 W (Tamb=25℃) Collector current ICM: -1A Collector-base voltage V(BR)CBO : -160 V Operating and storage junction temperature range TJ, Tstg: -55℃ to +150℃
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты