DataSheet26.com


D1011 даташит

Функция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1011 Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1011UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA A N 8 D 1 2 C B P 7 6 5 3 4 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 10W – 28V – 1GHz SINGLE ENDED FEATURES H K L J E F G M • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS PIN 5 – SOURCE PIN 6 – GATE PIN 7 – GATE PIN 8 – SOURCE SO8 PACKAGE PIN 1 – SOURCE PIN 2 – DRAIN PIN 3 – DRAIN PIN 4 – SOURCE • VERY LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM Dim. A B C
pdf
D1011UK Seme LAB
Seme LAB
  METAL GATE RF SILICON FET

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты