|
D1011 даташитФункция этой детали – «Metal Gate Rf SilICon Fet». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D1011 | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET TetraFET
D1011UK
METAL GATE RF SILICON FET
MECHANICAL DATA
A N
8
D
1 2
C B P
7 6 5
3 4
GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 10W – 28V – 1GHz SINGLE ENDED
FEATURES
H
K
L J E F G
M
• SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS
PIN 5 – SOURCE PIN 6 – GATE PIN 7 – GATE PIN 8 – SOURCE
SO8 PACKAGE
PIN 1 – SOURCE PIN 2 – DRAIN PIN 3 – DRAIN PIN 4 – SOURCE
• VERY LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE • HIGH GAIN – 13 dB MINIMUM
Dim. A B C |
|
D1011UK | Seme LAB |
METAL GATE RF SILICON FET |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |