DataSheet26.com

D1003UK даташит электронных компонентов


D1003UK Datasheet ( Даташиты )

Номер Номер в каталоге Описание Производители PDF
1 D1003UK  D1003UK Даташит - Seme LAB METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1003UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA A B C 1 2 D E 4 M 3 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 60W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN F G H K I J • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE DM PIN 1 PIN 3 SOURCE SOURCE PIN 2 PIN 4 DRAIN GATE DIM A B C D E F G H I J K M mm 24.76 18.42 45° 6.35 3.17 Dia. 5.71 12.7 Dia. 6.60 0.13 4.32 3.17 26.16 Tol. 0.13 0.13
Seme LAB
Seme LAB
PDF


D1003U даташита ( переписка )

Номер в каталоге Описание Производители PDF
D1003UK  D1003UK Даташит - Seme LAB METAL GATE RF SILICON FET

TetraFET D1003UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA A B C 1 2 D E 4 M 3 GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 60W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN F G H K I J • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS • LOW NOISE DM PIN 1 PIN 3 SOURCE SOURCE PIN 2 PIN 4 DRAIN GATE DIM A B C D E F G H I J K M mm 24.76 18.42 45° 6.35 3.17 Dia. 5.71 12.7 Dia. 6.60 0.13 4.32 3.17 26.16 Tol. 0.13 0.13
Seme LAB
Seme LAB
PDF



Ссылка Поделиться :
[1] 

Последние обновления
[ 10N80 ]  [ 16F120 ]  [ 182T2B ]  [ 182T2C ]  [ 183T2B ]  [ 183T2C ]  [ 184T2B ]  [ 184T2C ]  [ 185T2B ]  [ 185T2C ]  [ 1EBN1001AE ]  [ 1N3941B ]  [ 1N3941G ]  [ 1N3941G-M ]  [ 1N3942 ]  [ 1N3942-M ]  [ 1N3942B ]  [ 1N3942G ]  [ 1N3942G-M ]  [ 1N3997A ]  [ 1N3997A-SEL ]  [ 1N3997RA ]  [ 1N5617 ]  [ 1N5811-M ]  [ 2N2222A-M

Index : 0  1  2  3  4  5  6  7  8  9  A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  K  L  M  N  O  P  Q  R  S  T  U  V  W  X  Y  Z




DataSheet26.com    |   2017    |   Контакты    |   English