DataSheet26.com


D1001 даташит

Функция этой детали – «NPN Transistor - 2sd1001».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
D1001 Renesas
Renesas
  NPN Transistor - 2SD1001

pdf
D1001UK Seme LAB
Seme LAB
  GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W - 28V - 175MHz SINGLE ENDED

TetraFET D1001UK METAL GATE RF SILICON FET MECHANICAL DATA A B C 1 2 D 4 M 3 E F GOLD METALLISED MULTI-PURPOSE SILICON DMOS RF FET 20W – 28V – 175MHz SINGLE ENDED FEATURES • SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN G H K I J • SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS • LOW Crss • SIMPLE BIAS CIRCUITS Tol. 0.005 0.005 5° 0.005 0.005 0.005 0.005 REF 0.001 0.005 0.005 0.010 DA PIN 1 PIN 3 SOURCE SOURCE DIM A B C D E F G H I J K M mm 24.76 18.42 45° 6.35 3.17 5.71 9.52 6.60 0.13 4.32 2.54 20.32 PIN 2 PIN 4 Tol.
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты