|
D04S60 даташитФункция этой детали – «Sdd04s60». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
D04S60 | Infineon Technologies |
SDD04S60
Final data Silicon Carbide Schottky Diode • Worlds first 600V Schottky diode • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • Ideal diode for Power Factor Correction up to 800W 1) • No forward recovery
P-TO220-2-2.
SDP04S60, SDD04S60 SDT04S60
Product Summary VRRM Qc IF
P-TO252-3-1.
600 13 4
P-TO220-3-1.
V nC A
Type SDP04S60 SDD04S60 SDT04S60
Package P-TO220-3-1. P-T |
Это результат поиска, начинающийся с "04S60", "D04" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
IDC04S60C | Infineon Technologies |
2nd generation thinQ! SiC Schottky Diode
IDC04S60C
2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
FEATURES: • • • • • • Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide Switching behavior benchmark No reverse recovery No temperature influence on the switching behavior No forward recovery |
|
IDC04S60CE | Infineon Technologies |
Schottky Diode IDC04S60CE
2nd generation thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features: Revolutionary semiconductor material Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery • No temperature influence on the switching behavior • No forward recovery Datasheet.esaSheet4U.net • Hig |
|
IDD04S60C | Infineon Technologies |
Schottky Diode IDD04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery/ No forward recovery • No temperature influence on the switching behavior • High surge current cap |
|
IDH04S60C | Infineon Technologies |
Schottky Diode IDH04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery/ No forward recovery • No temperature influence on the switching behavior • High surge current cap |
|
IDT04S60C | Infineon Technologies AG |
2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode IDT04S60C
2ndGeneration thinQ!TM SiC Schottky Diode
Features • Revolutionary semiconductor material - Silicon Carbide • Switching behavior benchmark • No reverse recovery/ No forward recovery • No temperature influence on the switching behavior • Hi |
|
IDV04S60C | Infineon Technologies |
Schottky Diode S iC
Silicon Carbide Diode
Datasheet.esaSheet4U.net
2 n d G e n e r a t io n t h in Q ! ™
2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode IDV04S60C
Data Sheet
Rev. 2.0, 2010-01-08 Final
In d u s tr ia l & M u l ti m a r k e t
2nd Generation thinQ!™ SiC Schottky Diode
IDV04S60C
1 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |