|
CXD1947Q даташитФункция этой детали – «Ieee1394 Link Layer / Pci Bridge Lsi». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
CXD1947Q | Sony Corporation |
IEEE1394 LINK Layer / PCI Bridge LSI
PRELIMINARY
IEEE1394 LINK Layer / PCI Bridge LSI
Overview The CXD1947Q is a single-chip implementation of the link layer protocol of the 1394 Serial Bus, with additional features to support the transaction and bus management layers. The CXD1947Q includes a PCI bus interface and multiple DMA engines to enable high performance bus transfers. Features • • • • • 1394 Link Layer/PCI Bridge Conforms to IEEE1394 high speed Serial Bus Supports 100Mb/s and 200Mb/s 1394 bus speeds Conforms to PCI ve |
Это результат поиска, начинающийся с "1947Q", "CXD19" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2SA1947 | ETC |
FOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
ISAHAYA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
2SC1947 | Mitsubishi Electric Semiconductor |
NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE(for industrial use RF power amplifiers on VHF band Mobile radio applications) |
|
2SC1947 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 17V 1A 3-Pin T-8E |
|
2SD1947A | Toshiba Semiconductor |
NPN EPITAXIAL TYPE (HIGH CURRENT SWITCHING/ LAMP/ SOLENOID DRIVE APPLICATIONS) |
|
2SK1947 | Hitachi Semiconductor |
Silicon N-Channel MOS FET 2SK1947
Silicon N-Channel MOS FET
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low Drive Current Built-In Fast Recovery Diode (trr = 140 ns) Suitable for Switching regulator, Motor Control
Outline
TO-3PL
D G
1
2 |
|
2SK1947 | Renesas |
Silicon N Channel MOS FET 2SK1947
Silicon N Channel MOS FET
REJ03G0986-0200 (Previous: ADE-208-1334) Rev.2.00 Sep 07, 2005
Application
High speed power switching
Features
• • • • • Low on-resistance High speed switching Low drive current Built-in fast recovery diode (trr = 140 ns) Suitable for |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |