|
CPH5603 даташитФункция этой детали – «Ultrahigh-speed Switching ApplICations». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
CPH5603 | Sanyo Semicon Device |
Ultrahigh-Speed Switching Applications Ordering number:ENN6388
P-Channel Silicon MOSFET
CPH5603
Ultrahigh-Speed Switching Applications
Features
· Low ON resistance. · Ultrahigh-speed switching. · 4V drive. · Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitaing high-density mounting.
Package Dimensions
unit:mm 2168
[CPH5603]
2.9 5 4 3
0.6 0.2
0.15
1 0.95
2 0.4
0.6
1.6
2.8
0.05
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) Drain Current (pulse |
Это результат поиска, начинающийся с "5603", "CPH5" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N5603 | Microsemi |
High Voltage Stack |
|
1N5603TX | Microsemi |
High Voltage Stack |
|
1N5603TXV | Microsemi |
High Voltage Stack |
|
2N5603 | Seme LAB |
Bipolar PNP Device 2N5603
Dimensions in mm (inches).
3.68 (0.145) rad.
max.
3.61 (0.142) 4.08(0.161)
rad.
12
6.35 (0.250) 8.64 (0.340)
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66
Metal Package.
Bipolar PNP Device. VCEO = 100V IC = 2A
24.13 (0.95) 24.63 (0.97) 14.48 (0.570) 14.99 (0.590 |
|
2N5603 | SavantIC |
(2N5597 - 2N5603) Silicon PNP Power Transistors SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon PNP Power Transistors
DESCRIPTION ·With TO-66 package ·Excellent safe operating area ·Low collector saturation voltage APPLICATIONS ·For high frequency power amplifier ; audio power amplifier and drive |
|
3DD5603 | JILIN SINO-MICROELECTRONICS |
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R
NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
3DD5603(I/U/M/Z)
主要参数
IC VCEO VCBO PC(TO-126) PC(TO-220)
MAIN CHARACTERISTICS
1.5A 800V 1500V 20W 40W
封装 Package
用途
z z z z 充电器 高频开关电源 高频功率变� |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |