|
CM800HB-66H даташитФункция этой детали – «High Power Switching Use Insulated Type». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
CM800HB-66H | Powerex Power Semiconductors |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM800HB-66H
HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE
CM800HB-66H
q IC ................................................................... 800A q VCES ....................................................... 3300V q Insulated Type q 1-element in a pack
APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Induction heating, DC to DC converters.
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
130 114 57±0.25 57±0.25 4 - |
|
CM800HB-66H | Mitsubishi Electric |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
MITSUBISHI HVIGBT MODULES
CM800HB-66H
HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE
CM800HB-66H
q IC ................................................................... 800A q VCES ....................................................... 3300V q Insulated Type q 1-element in a pack
APPLICATION Inverters, Converters, DC choppers, Induction heating, DC to DC converters.
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM
Dimensions in mm
130 114 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |