DataSheet26.com


C9V1PH даташит

Функция этой детали – «PDF».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
C9001 Hamamatsu Corporation
Hamamatsu Corporation
  Driver circuit for CMOS linear image sensor

pdf
C9004 Hamamatsu Corporation
Hamamatsu Corporation
  Driver circuit for Si photodiode array

pdf
C9011 USHA
USHA
  NPN Transistor - 2SC9011

Transistors 2SC9011
pdf
C9012 Promax Johnton
Promax Johnton
  PJ2N9012

www.DataSheet.co.kr PJ2N9012 PNP Epitaxial Silicon Transistor 1W OUTPUT AMPLIFIER OF POTABLE RADIOS IN CLASS B PUSH-PULL OPERATION TO-92 SOT-23 • • • • High total power dissipation(PT=625mW) High collector Current (Ic=-500mA) Complementary to 2N9013 Excellent hEF Linearity ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta= 25 ℃ ) Rating Collector Base Voltage Collector Emitter Voltage Emitter Base Voltage Collector Current Collector Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Symbol VCBO VCEO
pdf
C9013 ETC
ETC
  NPN Transistor - 2SC9013

Transistors 2SC9013
pdf
C9014 USHA
USHA
  Transistors

Transistors 2SC9014 Free Datasheet http:// Free Datasheet http://
pdf
C9014 ETC
ETC
  NPN Transistor - 2SC9014

Transistors 2SC9014
pdf
C9015 KEC
KEC
  KTC9015

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA GENERAL PURPOSE APPLICATION. SWITCHING APPLICATION. FEATURES ᴌExcellent hFE Linearity : hFE(IC=-0.1mA)/hFE(IC=-2mA)=0.95(Typ.). ᴌLow Noise :NF=1dB(Typ.) at f=1kHz. ᴌComplementary to KTC9014. MAXIMUM RATING (Ta=25ᴱ) CHARACTERISTIC Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Emitter Current Collector Power Dissipation Junction Temperature Storage Temperature Range SYMBOL VCBO VCEO VEBO IC IE PC Tj Tstg RATING -50 -50 -5 -150 150 625 150 -5
pdf

[1]   [2]   [3]   [4]   [5]   [6]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты