|
C5686 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sc5686». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| C5686 |  Panasonic |
NPN Transistor - 2SC5686 Power Transistors
2SC5686
Silicon NPN triple diffusion mesa type
Horizontal deflection output for TV, CRT monitor
15.5±0.5
(10.0)
Unit: mm
φ 3.2±0.1 5˚
(4.5)
3.0±0.3 5˚
■ Features
(2.0)
• High breakdown voltage: VCBO ≥ 2 000 V • High-speed switching: tf < 200 ns • Wide safe operation area
26.5±0.5
(23.4)
5˚ (4.0) 2.0±0.2 1.1±0.1 0.7±0.1 5.45±0.3 10.9±0.5
5.5±0.3
5˚ 5˚
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C
Parameter Collector-base voltage (Emitter open) Collecto |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "5686", "C5" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N5686 |  Knox SemiconductorInc |
GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES GENERAL PURPOSE ABRUPT VARACTOR DIODES 1N5681 TO 1N5709
PART NUMBER
CAPACITANCE @ 4Vdc 1 MHz (pF)
MIN QUALITY FACTOR @ 4Vdc F = 50 MHz
CAPACITANCE RATIO 2V / 40V 4V / 60V MIN TYP MIN TYP
MAX WORKING VOLTAGE (Vdc)
MIN REVERSE BREAKDOWN VOLTAGE Ir = 10µA (Vdc)
1N5681 1N5682 |
 |
| 1N5686 |  New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 45V 18pF 2-Pin DO-7 |
|
| 1N5686A | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 30V 18pF 2-Pin DO-7 |
|
| 1N5686B | New Jersey Semiconductor |
Diode VAR Cap Single 30V 18pF 2-Pin DO-7 |
|
| 2N5686 |  Mospec Semiconductor |
POWER TRANSISTORS(50A/300W) A
A
A
A
|
|
| 2N5686 |  ON Semiconductor |
(2N5684 / 2N5686) High-Current Complementary Silicon Power Transistors
ON Semiconductort PNP
High−Current Complementary Silicon Power Transistors
. . . designed for use in high−power amplifier and switching circuit applications.
2N5684
NPN
2N5686
50 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 60 − 80 VOLTS 300 WATTS
|
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |