|
C5100 даташитФункция этой детали – «SilICon NPN Triple Diffused Planar Transistor». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| C5100 |  Sanken electric |
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor 2SC5100
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1908) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC5100 160 120 6 8 3 75(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
Application : Audio and General Purpose
(Ta=25°C) 2SC5100 10max 10max 120min 50min∗ 0.5max 20typ 200typ V MHz
16.2
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) fT COB ∗hFE Rank Conditions VCB=160V VEB=6V IC=50mA VCE=4V, IC=3A IC=3A, IB=0.3A VCE=12V, IE=–0.5 |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "5100", "C5" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N5100 |  Digitron Semiconductors |
3 WATT ZENER DIODES 1N5096-1N5117 MZ211-MZ240
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
3 WATT ZENER DIODES
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-RoH |
 |
| 1N5100 |  SUSSEX |
ZENER DIE TM
SUSSEX
.5 TO 10 WATT UNIPOLAR ZENER FLIP-DIE
12251 TOWNE LAKE DRIVE, FORT MYERS, FLORIDA, 33913 TEL: (941) 768-6800 FAX: (941) 768-6868
SEMICONDUCTOR, INC.
GLASS PASSIVATED SURFACE MOUNT UNIPOLAR FLIP-DIE ZENER VOLTAGE- 6.8 TO 200 VOLTS .5 TO 10 WATT MAXIMUM POWER D |
|
| 1N5100 |  New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 160V 5% 3W 2-Pin Case A |
|
| 1SCA022807R5100 |  ABB |
neutral and earth terminals |
|
| 2N5100 |  Semiconductor Technology |
(2N5xxx) High Voltage Silicon Low and Medium Power Transistors ( DataSheet : )
|
|
| 2SB035100ML |  Silan Microelectronics |
2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS 2SB035100ML
2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS
DESCRIPTION
Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips
Lb La
fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |