DataSheet26.com


C5100 даташит

Функция этой детали – «SilICon NPN Triple Diffused Planar Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
C5100 Sanken electric
Sanken electric
  Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor

2SC5100 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1908) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC5100 160 120 6 8 3 75(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C Application : Audio and General Purpose (Ta=25°C) 2SC5100 10max 10max 120min 50min∗ 0.5max 20typ 200typ V MHz 16.2 sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) fT COB ∗hFE Rank Conditions VCB=160V VEB=6V IC=50mA VCE=4V, IC=3A IC=3A, IB=0.3A VCE=12V, IE=–0.5
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "5100", "C5"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
1N5100 Digitron Semiconductors
Digitron Semiconductors

3 WATT ZENER DIODES

1N5096-1N5117 MZ211-MZ240 High-reliability discrete products and engineering services since 1977 3 WATT ZENER DIODES FEATURES  Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number.  Available as non-RoH
pdf
1N5100 SUSSEX
SUSSEX

ZENER DIE

TM SUSSEX .5 TO 10 WATT UNIPOLAR ZENER FLIP-DIE 12251 TOWNE LAKE DRIVE, FORT MYERS, FLORIDA, 33913 • TEL: (941) 768-6800 • FAX: (941) 768-6868 SEMICONDUCTOR, INC. GLASS PASSIVATED SURFACE MOUNT UNIPOLAR FLIP-DIE ZENER VOLTAGE- 6.8 TO 200 VOLTS .5 TO 10 WATT MAXIMUM POWER D
pdf
1N5100 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Diode Zener Single 160V 5% 3W 2-Pin Case A

pdf
1SCA022807R5100 ABB
ABB

neutral and earth terminals

pdf
2N5100 Semiconductor Technology
Semiconductor Technology

(2N5xxx) High Voltage Silicon Low and Medium Power Transistors

( DataSheet : )
pdf
2SB035100ML Silan Microelectronics
Silan Microelectronics

2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS

2SB035100ML 2SB035100ML SCHOTTKY BARRIER DIODE CHIPS DESCRIPTION Ø 2SB035100ML is a schottky barrier diode chips Lb La fabricated in silicon epitaxial planar technology; Ø Ø Ø Ø Ø Low power losses, high efficiency; Guard ring construction for transient protection; High ESD
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты