![]() |
C4212 даташит PDFЭто NPN Transistor - 2sc4212. На странице результатов поиска C4212 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C4212 | ![]() Panasonic Semiconductor |
NPN Transistor - 2SC4212 Power Transistors
2SC4212
Silicon NPN triple diffusion planar type
For color TV horizontal deflection driver
φ 3.16±0.1
Unit: mm
8.0+0.5 –0.1 3.2±0.2
1.9±0.1
• High collector to emitter voltage VCEO • TO-126B package which requires no insulation plate for installation to the heat sink
3.8±0.3
11.0±0.5
I Features
I Absolute Maximum Ratings TC = 25°C
Parameter Collector to base voltage Collector to emitter voltage Emitter to base voltage Peak collector current |
![]() |
Это результат поиска, начинающийся с "4212", "C4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N4212 | ![]() DIGITRON SEMICONDUCTORS |
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS DIGITRON
2N4212-2N4216, 2N4219
SEMICONDUCTORS
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS 1.6 AMPS RMS, 25-400 VOLTS
Available Non-RoHS (standard) or RoHS compliant (add PBF suffix). Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base |
![]() |
2SC4212 | ![]() Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion planar type Power Transistors
2SC4212
Silicon NPN triple diffusion planar type
Unit: mm
For color TV horizontal deflection driver
φ 3.16±0.1
8.0+0.5 –0.1
3.2±0.2
1.9±0.1
• High collector to emitter voltage VCEO • TO-126B package which requires no insulation plate for installa |
![]() |
2SK4212 | ![]() Renesas |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company na |
![]() |
3DD4212DT | ![]() JILIN SINO |
MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R
NPN 型高压功率开关晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
3DD4212DT
主要参数
IC VCEO PC(TO-92)
MAIN CHARACTERISTICS
1.5A 400V 1W
封装 Package
用途
z z z z z 节能灯 电子镇流器 高频开关电源 高频功率变换 一般功率放大 |
![]() |
ADF4212 | ![]() Analog Devices |
Dual RF/IF PLL Frequency Synthesizers a
Dual RF/IF PLL Frequency Synthesizers ADF4210/ADF4211/ADF4212/ADF4213
GENERAL DESCRIPTION
FEATURES ADF4210: 550 MHz/1.2 GHz ADF4211: 550 MHz/2.0 GHz ADF4212: 1.0 GHz/2.7 GHz ADF4213: 1.0 GHz/3 GHz 2.7 V to 5.5 V Power Supply Separate Charge Pump Supply (VP) Allows Extended Tu |
![]() |
ALD4212 | ![]() Advanced Linear Devices |
CMOS LOW VOLTAGE HIGH SPEED QUAD PRECISION ANALOG SWITCHES ADVANCED LINEAR DEVICES, INC.
ALD4211/ALD4212 ALD4213
CMOS LOW VOLTAGE HIGH SPEED QUAD PRECISION ANALOG SWITCHES
GENERAL DESCRIPTION The ALD4211/ALD4212/ALD4213 are quad SPST CMOS analog switches specifically designed for low voltage, high speed applications where 0.2pC charge |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |