|
C4163 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sc4163». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C4163 | Sanyo |
NPN Transistor - 2SC4163 Ordering number:ENN2484B
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4163
400V/12A Switching Regulator Applications
Features
· High breakdown voltage and high reliability. · High-speed switching (tf=0.1µs typ). · Wide ASO. · Adoption of MBIT process. · Micaless package facilitating mounting.
Package Dimensions
unit:mm 2041A
[2SC4163]
10.0 3.2
4.5 2.8
3.5 7.2 16.0
18.1 5.6
1.6 1.2
0.75 123 2.55 2.55
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to |
Это результат поиска, начинающийся с "4163", "C4" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N4163 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener 18V 5% 1W 2-Pin DO-29 |
|
1N4163A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener 18V 5% 1W 2-Pin DO-29 |
|
1N4163B | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener 18V 5% 1W 2-Pin DO-29 |
|
2SC4163 | Sanyo Semicon Device |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Ordering number:ENN2484B
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor
2SC4163
400V/12A Switching Regulator Applications
Features
· High breakdown voltage and high reliability. · High-speed switching (tf=0.1µs typ). · Wide ASO. · Adoption of MBIT process. · Micaless packa |
|
2SC4163 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR
SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC4163
DESCRIPTION ·With TO-220F package ·High breakdown voltage. ·High reliability. ·Fast switching speed ·Wide area of safe operation APPLICATIONS ·Switching regulator app |
|
3DD4163D | JILIN SINO |
FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR NPN 型功率开关晶体管 FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
R
3DD4163D
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
IC 3A
VCEO
200V
PC(TO-92-FJ)
1W
PC(TO-126)
40W
封装 Package
用途
z 节能灯 z 电子镇流器 z 电子变压器 z 一般功率放大电路
产品特性
z� |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |