|
C3890 даташит PDFЭто NPN Transistor - 2sc3890. На странице результатов поиска C3890 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| C3890 |  Sanken electric |
NPN Transistor - 2SC3890 2SC3890
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (High Voltage and High Speed Switchihg Transistor) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC3890 500 400 10 7(Pulse14) 2 30(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
Application : Switching Regulator and General Purpose External Dimensions FM20(TO220F)
4.0±0.2 10.1±0.2 4.2±0.2 2.8 c0.5
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB=500V VEB=10V IC=25mA VCE=4V, IC= |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "3890", "C3" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 1N3890 |  Digitron Semiconductors |
FAST RECOVERY RECTIFIER 1N3889-1N3893
High-reliability discrete products and engineering services since 1977
FAST RECOVERY RECTIFIER
FEATURES Available as “HR” (high reliability) screened per MIL-PRF-19500, JANTX level. Add “HR” suffix to base part number. Available as non-RoHS (Sn/Pb |
 |
| 1N3890 |  International Rectifier |
FAST RECOVERY DIODES FAST RECOVERY DIODES
Bulletin PD-2.030 revG 01/05
1N3879(R), 1N3889(R) 6/ 12/ 16FL(R) SERIES
Stud Version
Major Ratings and Characteristics
Parameters
1N3879- 1N38891N3883 1N3893
6FL
12FL 16FL Units
IF(AV)@ TC = 100°C 6 * 12 * 6 12 16 A
IF(RMS)
9.5 19 9.5 19 25 A
IFSM |
|
| 1N3890 |  Microsemi |
FAST RECOVERY RECTIFIERS 1N3889 – 1N3891, 1N3893
Available on commercial
versions
FAST RECOVERY RECTIFIERS
Qualified per MIL-PRF-19500/304*
DESCRIPTION
This 1N3889 – 1N3891 and 1N3893 family of rectifier devices are suitable for applications in DC power supplies, inverters, converters, choppers an |
|
| 1N3890 |  GeneSiC |
Silicon Fast Recovery Diode Silicon Fast Recovery Diode
Features • High Surge Capability • Types up to 400 V VRRM • Not ESD Sensitive
Note: 1. Standard polarity: Stud is cathode. 2. Reverse polarity (R): Stud is anode. 3. Stud is base.
1N3889 thru 1N3893R
VRRM = 50 V - 400 V IF = 12 A
DO-4 Package
M |
|
| 1N3890 |  Freescale |
Silicon Rectifier |
|
| 1N3890 |  Vishay Siliconix |
(1N3879 - 1N3893) Fast Recovery Diodes Datasheet.es
1N3879(R), 1N3889(R), 6/12/16FL(R) Series
Vishay High Power Products
Fast Recovery Diodes (Stud Version), 6/12/16 A
FEATURES
• Short reverse recovery time • Low stored charge • Wide current range • Excellent surge capabilities • Standard JEDEC type |
|
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
введение сайта
|
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |