DataSheet26.com


C3858 даташит

Функция этой детали – «NPN Transistor - 2sc3858».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
C3858 Sanken electric
Sanken electric
  NPN Transistor - 2SC3858

2SC3858 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1494) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C) Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC3858 200 200 6 17 5 200(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C Application : Audio and General Purpose (Ta=25°C) sElectrical Characteristics Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) fT COB Conditions VCB=200V VEB=6V IC=50mA VCE=4V, IC=8A IC=10A, IB=1A VCE=12V, IE=–1A VCB=10V, f=1MHz 100max 100max 200min External Dimensions MT-200 36.4±0.3 24.
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3858", "C3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3858 ETC
ETC

SILICON TRANSISTORS

pdf
2N3858 New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59

pdf
2N3858-60 ETC
ETC

SILICON TRANSISTORS

pdf
2N3858A ETC
ETC

SILICON TRANSISTORS

pdf
2N3858A New Jersey Semiconductor
New Jersey Semiconductor

General Purpose Bipolar Transistor

pdf
2SC3858 Mospec Semiconductor
Mospec Semiconductor

POWER TRANSISTOR(17A/200V/200W)

A A A
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты