|
C3858 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sc3858». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C3858 | Sanken electric |
NPN Transistor - 2SC3858 2SC3858
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1494) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC3858 200 200 6 17 5 200(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
Application : Audio and General Purpose
(Ta=25°C)
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) fT COB Conditions VCB=200V VEB=6V IC=50mA VCE=4V, IC=8A IC=10A, IB=1A VCE=12V, IE=–1A VCB=10V, f=1MHz 100max 100max 200min
External Dimensions MT-200
36.4±0.3 24. |
Это результат поиска, начинающийся с "3858", "C3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3858 | ETC |
SILICON TRANSISTORS |
|
2N3858 | New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 5A 3-Pin TO-59 |
|
2N3858-60 | ETC |
SILICON TRANSISTORS |
|
2N3858A | ETC |
SILICON TRANSISTORS |
|
2N3858A | New Jersey Semiconductor |
General Purpose Bipolar Transistor |
|
2SC3858 | Mospec Semiconductor |
POWER TRANSISTOR(17A/200V/200W) A
A
A
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |