|
C3835 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sc3835». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C3835 | Allegro Micro Systems |
NPN Transistor - 2SC3835
2SC3835
Application : Humidifier, DC-DC Converter, and General Purpose
(Ta=25°C) 2SC3835 100max 100max 120min 70 to 220 0.5max 1.2max 30typ 110typ V MHz pF
20.0min 4.0max
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC3835 200 120 8 7(Pulse14) 3 70(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) fT COB Conditions VCB= |
Это результат поиска, начинающийся с "3835", "C3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3835 | American Power Devices |
(1N3831 - 1N3845) Four Layer Diodes |
|
1N3835 | Microwave Diode |
(1N3831 - 1N3846) Silicon Planar Thyristor Diodes |
|
2SC3835 | Sanken electric |
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor(Humidifier/ DC-DC Converter/ and General Purpose) 2SC3835
Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Switching Transistor) sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SC3835 200 120 8 7(Pulse14) 3 70(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
Application : Humidifier, DC-DC Convert |
|
2SC3835 | Unisonic Technologies |
SWITCH NPN TRANSISTOR UTC 2SC3835
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
SWITCH NPN TRANSISTOR
APLLICATION
*Humidifier,DC-DC converter,and general purpose.
1
TO-3PN
1: BASE
2:COLLECTOR
3: EMITTER
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25°C)
PARAMETER
Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-B |
|
2SC3835 | SavantIC |
SILICON POWER TRANSISTOR SavantIC Semiconductor
Product Specification
Silicon NPN Power Transistors
2SC3835
DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Switching transistor APPLICATIONS ·For humidifier ,DC-DC converter and general purpose applications
PINNING PIN 1 2 3 Base Collector;con |
|
2SK3835 | Sanyo |
N-Channel Silicon MOSFET Ordering number : EN8637
2SK3835
2SK3835
N-Channel Silicon MOSFET
General-Purpose Switching Device
Applications
Features
• Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. • Avalanche resistance guarantee.
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter Drain-to-S |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |