|
C3788 даташитФункция этой детали – «PNP/NPN Epitaxial Planar SilICon Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C3788 | Sanyo Semicon Device |
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Ordering number:EN2253A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1478/2SC3788
High-Definition CRT Display Video Output Applications
Features
· High breakdown voltage : VCEO≥200V. · Small reverse transfer capacitance and excellent high
frequency cahaceteristic
: Cre=1.2pF (NPN), 1.7pF (PNP). · Adoption of FBET process.
Package Dimensions
unit:mm 2042A
[2SA1478/2SC3788]
( ) : 2SA1478
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emi |
Это результат поиска, начинающийся с "3788", "C3" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
1N3788 | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 6.7V 5% 400mW 2-Pin DO-7 |
|
1N3788A | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 6.7V 5% 400mW 2-Pin DO-7 |
|
1N3788B | New Jersey Semiconductor |
Diode Zener Single 6.7V 5% 400mW 2-Pin DO-7 |
|
2SC3788 | Sanyo Semicon Device |
High-Definition CRT Display/ Video Output Applications Ordering number:EN2253A
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1478/2SC3788
High-Definition CRT Display Video Output Applications
Features
· High breakdown voltage : VCEO≥200V. · Small reverse transfer capacitance and excellent high
frequency cahaceteristic
: Cre=1 |
|
2SC3788 | Sanyo |
(2SCxxxx) High Definition CRT Display USE |
|
2SK3788-01 | Fuji Electric |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 2SK3788-01
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Outline Drawings (mm)
200406
FUJI POWER MOSFET
Super FAP-G Series
Features
High speed switching, Low on-resistance Low driving power, Avalanche-proof No secondary breadown
Applications
Switching regulators UPS (Uni |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |