DataSheet26.com


C3355 даташит

Функция этой детали – «NPN Transistor - 2sc3355».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
C3355 NEC
NEC
  NPN Transistor - 2SC3355

DATA SHEET SHEET DATA SILICON TRANSISTOR 2SC3355 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good current characteristic. PACKAGE DIMENSIONS in millimeters (inches) 5.2 MAX. (0.204 MAX.) FEATURES • Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.0
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "3355", "C3"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2SC3355 NEC
NEC

HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

DATA SHEET SHEET DATA SILICON TRANSISTOR 2SC3355 HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR DESCRIPTION The 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. It has lange dynamic range and good c
pdf
2SC3355 American Microsemiconductor
American Microsemiconductor

Diode ( Rectifier )

pdf
2SC3355 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

NPN Silicon Transistor

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3355 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER  FEATURES * Low Noise and High Gain * High Power Gain 1 TO-92  ORDERING INFORMATION Ordering Number Lead Free Halogen Free 2SC3355L-T92-B 2SC3355G-T92-B 2S
pdf
2SC3355 Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor

Silicon NPN RF Transistor

INCHANGE Semiconductor isc RF Product Specification isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3355 DESCRIPTION ·Low Noise and High Gain NF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 7 mA, f = 1.0 GHz NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.0 dB TYP. @VCE = 10 V, IC = 40 mA, f = 1.0 GHz ·Hig
pdf
2SC3355 Renesas
Renesas

NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTOR

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company na
pdf
2SK3355 NEC
NEC

SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR 2SK3355 SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE 5 DESCRIPTION The 2SK3355 is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. ORDERING INFORMATION PART NUMBER 2SK3355 2SK3355-S 2SK3355-ZJ 2
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты