DataSheet26.com


C2960 даташит

Функция этой детали – «NPN Transistor - 2sc2960».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
C2960 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device
  NPN Transistor - 2SC2960

Ordering number:EN829H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1481/2SC2960 High-Speed Switching Applications Features · Fast switching speed. · High breakdown voltage. Package Dimensions unit:mm 2033 [2SA1481/2SC2960] ( ) : 2SA1481 B : Base C : Collector E : Emitter SANYO : SPA Conditions Ratings (–)60 (–)50 (–)5 (–)150 (–)400 250 150 –55 to +150 Unit V V V mA mA mW Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter-
pdf

Это результат поиска, начинающийся с "2960", "C2"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N2960 Seme LAB
Seme LAB

Bipolar NPN Device

2N2960 Dimensions in mm (inches). 8.51 (0.34) 9.40 (0.37) 7.75 (0.305) 8.51 (0.335) Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device. 6.10 (0.240) 6.60 (0.260) 12.70 (0.500) min. 0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.0
pdf
2N2960 Central
Central

Small Signal Transistors

Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued) TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0
pdf
2SC2960 Sanyo Semicon Device
Sanyo Semicon Device

High-Speed Switching Applications

Ordering number:EN829H PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1481/2SC2960 High-Speed Switching Applications Features · Fast switching speed. · High breakdown voltage. Package Dimensions unit:mm 2033 [2SA1481/2SC2960] ( ) : 2SA1481 B : Base C : Collector E : Emitt
pdf
2SK2960 Panasonic
Panasonic

Silicon N-Channel Power F-MOS FET

Power F-MOS FETs 2SK2960 Silicon N-Channel Power F-MOS FET s Features q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 250mJ q VGSS = ±30V guaranteed q High-speed switching: tf = 55ns q No secondary breakdown unit: mm 4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2 M Di ain sc te on na tin
pdf
AM2960 AMD
AMD

16-Bit Cascadable Error Detection and Correction

pdf
AM2960-1 AMD
AMD

16-Bit Cascadable Error Detection and Correction

pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты