|
C2960 даташитФункция этой детали – «NPN Transistor - 2sc2960». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C2960 | Sanyo Semicon Device |
NPN Transistor - 2SC2960 Ordering number:EN829H
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1481/2SC2960
High-Speed Switching Applications
Features
· Fast switching speed. · High breakdown voltage.
Package Dimensions
unit:mm 2033
[2SA1481/2SC2960]
( ) : 2SA1481
B : Base C : Collector E : Emitter SANYO : SPA
Conditions Ratings (–)60 (–)50 (–)5 (–)150 (–)400 250 150 –55 to +150 Unit V V V mA mA mW
Specifications
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C
Parameter Collector-to-Base Voltage Collector-to-Emitter Voltage Emitter- |
Это результат поиска, начинающийся с "2960", "C2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N2960 | Seme LAB |
Bipolar NPN Device
2N2960
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34) 9.40 (0.37)
7.75 (0.305) 8.51 (0.335)
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO39 Metal Package. Bipolar NPN Device.
6.10 (0.240) 6.60 (0.260)
12.70 (0.500) min.
0.89 max. (0.035) 0.41 (0.016) 0.53 (0.0 |
|
2N2960 | Central |
Small Signal Transistors Small Signal Transistors TO-39 Case (Continued)
TYPE NO. DESCRIPTION VCBO (V) VCEO (V) *VCER VEBO (V) ICBO @ VCB (µA) (V) *ICEO **ICES ***ICEV ****ICER MIN 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 4.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 5.0 7.0 7.0 5.0 4.0 7.0 7.0 7.0 7.0 5.0 4.0 4.0 5.0 4.0 4.0 4.0 5.0 5.0 5.0 |
|
2SC2960 | Sanyo Semicon Device |
High-Speed Switching Applications Ordering number:EN829H
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors
2SA1481/2SC2960
High-Speed Switching Applications
Features
· Fast switching speed. · High breakdown voltage.
Package Dimensions
unit:mm 2033
[2SA1481/2SC2960]
( ) : 2SA1481
B : Base C : Collector E : Emitt |
|
2SK2960 | Panasonic |
Silicon N-Channel Power F-MOS FET Power F-MOS FETs
2SK2960
Silicon N-Channel Power F-MOS FET
s Features
q Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 250mJ q VGSS = ±30V guaranteed q High-speed switching: tf = 55ns q No secondary breakdown
unit: mm
4.6±0.2 φ3.2±0.1 9.9±0.3 2.9±0.2
M Di ain sc te on na tin |
|
AM2960 | AMD |
16-Bit Cascadable Error Detection and Correction |
|
AM2960-1 | AMD |
16-Bit Cascadable Error Detection and Correction |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |