|
C1251D даташитФункция этой детали – «Low Power Dual Operational Amplifier». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C1251D | ETC |
Low Power Dual Operational Amplifier |
Это результат поиска, начинающийся с "1251D", "C12" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
UPC1251D | ETC |
Low Power Dual Operational Amplifier |
|
2SC1251 | Advanced Semiconductor |
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 2SC1251
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The 2SC1251 is a Common Emitter Device Designed for High Linearity Class A Amplifiers up to 2.0 GHz.
FEATURES INCLUDE:
• Direct Replacement for NE74020 • High Gain - 10 dB min. @ 1.0 GHz • Gold Metalization
PACKAGE ST |
|
2SD1251 | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification) Power Transistors
2SD1251, 2SD1251A
Silicon NPN triple diffusion junction type
For power amplification
1.5±0.1
8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3
Unit: mm
1.0±0.1
s Features
q q
10.5min.
Wide area of safe operation (ASO) N type package enabling direct soldering of the radiating fi |
|
2SD1251 | Kexin |
Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type SMD Type
Transistors
Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type 2SD1251,2SD1251A
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Unit: mm 2.30
+0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1
Features
Wide area of safe operation.
6.50 +0.2 5.30-0.2
+0.15 -0.15
+0.2 9.70 -0.2
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50 -0.15
0.127 max
2 |
|
2SD1251A | Panasonic Semiconductor |
Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification) Power Transistors
2SD1251, 2SD1251A
Silicon NPN triple diffusion junction type
For power amplification
1.5±0.1
8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3
Unit: mm
1.0±0.1
s Features
q q
10.5min.
Wide area of safe operation (ASO) N type package enabling direct soldering of the radiating fi |
|
2SD1251A | Kexin |
Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type SMD Type
Transistors
Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type 2SD1251,2SD1251A
TO-252
+0.15 1.50 -0.15
Unit: mm 2.30
+0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1
Features
Wide area of safe operation.
6.50 +0.2 5.30-0.2
+0.15 -0.15
+0.2 9.70 -0.2
+0.1 0.80-0.1
+0.15 0.50 -0.15
0.127 max
2 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |