DataSheet26.com


C1251D даташит

Функция этой детали – «Low Power Dual Operational Amplifier».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
C1251D ETC
ETC
  Low Power Dual Operational Amplifier

pdf

Это результат поиска, начинающийся с "1251D", "C12"

Номер в каталоге Производители Описание PDF
UPC1251D ETC
ETC

Low Power Dual Operational Amplifier

pdf
2SC1251 Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

2SC1251 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR DESCRIPTION: The 2SC1251 is a Common Emitter Device Designed for High Linearity Class A Amplifiers up to 2.0 GHz. FEATURES INCLUDE: • Direct Replacement for NE74020 • High Gain - 10 dB min. @ 1.0 GHz • Gold Metalization PACKAGE ST
pdf
2SD1251 Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification)

Power Transistors 2SD1251, 2SD1251A Silicon NPN triple diffusion junction type For power amplification 1.5±0.1 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±0.1 s Features q q 10.5min. Wide area of safe operation (ASO) N type package enabling direct soldering of the radiating fi
pdf
2SD1251 Kexin
Kexin

Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type

SMD Type Transistors Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type 2SD1251,2SD1251A TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features Wide area of safe operation. 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 +0.2 9.70 -0.2 +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.50 -0.15 0.127 max 2
pdf
2SD1251A Panasonic Semiconductor
Panasonic Semiconductor

Silicon NPN triple diffusion junction type(For power amplification)

Power Transistors 2SD1251, 2SD1251A Silicon NPN triple diffusion junction type For power amplification 1.5±0.1 8.5±0.2 6.0±0.5 3.4±0.3 Unit: mm 1.0±0.1 s Features q q 10.5min. Wide area of safe operation (ASO) N type package enabling direct soldering of the radiating fi
pdf
2SD1251A Kexin
Kexin

Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type

SMD Type Transistors Silicon NPN Triple Diffusion Junction Type 2SD1251,2SD1251A TO-252 +0.15 1.50 -0.15 Unit: mm 2.30 +0.8 0.50-0.7 +0.1 -0.1 Features Wide area of safe operation. 6.50 +0.2 5.30-0.2 +0.15 -0.15 +0.2 9.70 -0.2 +0.1 0.80-0.1 +0.15 0.50 -0.15 0.127 max 2
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты