![]() |
C1251 даташит PDFЭто Low Power Dual Operational Amplifier. На странице результатов поиска C1251 Даташиты отображается список соответствующих спецификаций на основе введенного ключевого слова или фразы. Предоставляет подробные спецификации и возможности сравнения, чтобы пользователи могли легко просматривать и выбирать продукты от широкого круга ведущих производителей. |
Показать результаты поиска |

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
C1251 | ![]() Renesas |
Bipolar Analog Integrated Circuit Bipolar Analog Integrated Circuit
μ PC1251, 358
μ PC1251, 358 C
50 μ A TYP.
V GND V GND
μ PC1251
μ PC358
DC
μ PC451, 324
2 mV TYP. 5 nA TYP. 100000 TYP.
DIP, SOP
μ PC1251C μ PC1251C (5) μ PC1251G2 μ PC1251G2 (5) μ PC358C μ PC358C (5) μ PC358G2 μ PC358G2 (5)
μ PC1251
DC DC DC DC
8 8 8 8
BT
DIP 7.62 mm 300 SOP 5.72 mm 225 DIP 7.62 mm 300 SOP 5.72 mm 225
125°C
G10526JJBV0DS00 December 2007 NS
11
" " PDF
1993
μ PC1251, 358
1/2
6 μA 6 μA
Q2 I I Q1
Q3 Q4
CC
100 μA
V
Q5 Q6
Q7 RSC O |
![]() |
C1251 | ![]() NEC |
UPC1251 DATA SHEET
BIPOLAR ANALOG INTEGRATED CIRCUIT
μ PC1251GR-9LG, μ PC1251MP-KAA, μ PC358GR-9LG
SINGLE POWER SUPPLY DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
|
![]() |
C1251 | ![]() ETC |
Low Power Dual Operational Amplifier |
![]() |
C1251 | ![]() ASI |
NPN Transistor - 2SC1251 2SC1251
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The 2SC1251 is a Common Emitter Device Designed for High Linearity Class A Amplifiers up to 2.0 GHz.
FEATURES INCLUDE:
• Direct Replacement for NE74020 • High Gain - 10 dB min. @ 1.0 GHz • Gold Metalization
PACKAGE STYLE .204 4L STUD
MAXIMUM RATINGS
IC VCB PDISS TJ TSTG θJC
O O
300 mA 45 V 5.3W @ TC = 25 C -65 C to +200 C -65 C to +150 C 33 C/W
O O O O
1 = COLLECTOR 2 & 4 = EMITTER 3 = BASE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BVCEO BVCBO BVEBO hF |
![]() |
C1251C | ![]() Renesas |
Bipolar Analog Integrated Circuit Bipolar Analog Integrated Circuit
μ PC1251, 358
μ PC1251, 358 C
50 μ A TYP.
V GND V GND
μ PC1251
μ PC358
DC
μ PC451, 324
2 mV TYP. 5 nA TYP. 100000 TYP.
DIP, SOP
μ PC1251C μ PC1251C (5) μ PC1251G2 μ PC1251G2 (5) μ PC358C μ PC358C (5) μ PC358G2 μ PC358G2 (5)
μ PC1251
DC DC DC DC
8 8 8 8
BT
DIP 7.62 mm 300 SOP 5.72 mm 225 DIP 7.62 mm 300 SOP 5.72 mm 225
125°C
G10526JJBV0DS00 December 2007 NS
11
" " PDF
1993
μ PC1251, 358
1/2
6 μA 6 μA
Q2 I I Q1
Q3 Q4
CC
100 μA
V
Q5 Q6
Q7 RSC O |
![]() |
C1251C | ![]() ETC |
Low Power Dual Operational Amplifier |
![]() |
C1251D | ![]() ETC |
Low Power Dual Operational Amplifier |
![]() |
Последние обновления

Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | ![]() Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
![]() |
NE555 | ![]() ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
![]() |
введение сайта
Мы постоянно отслеживаем и анализируем поведение пользователей и поисковые запросы, чтобы повысить релевантность и точность результатов поиска. Мы отплатим вам лучшими результатами при следующем посещении. |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |