|
BSS62 даташитФункция этой детали – «PNP Darlington Transistors». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
BSS62 | Philips |
PNP Transistoor |
|
BSS62 | NXP Semiconductors |
PNP Darlington transistors DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
M3D111
BSS61; BSS62 PNP Darlington transistors
Product specification Supersedes data of September 1994 File under Discrete Semiconductors, SC04 1997 May 14
Philips Semiconductors
Product specification
PNP Darlington transistors
FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V) • Integrated diode and resistor. APPLICATIONS • Industrial high gain amplification.
handbook, halfpage 1
BSS61; BSS62
PINNING PIN 1 2 3 emitter base collector, connected to case DESCRI |
|
BSS62 | Motorola Semiconductors |
DARLINGTON TRANSISTOR MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector-Emitter Voltage Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current - Continuous
Total Device Dissipation @Ta = 25°C
Derate above 25?C
@Total Device Dissipation Tq = 25°C
Derate above 25°C Operating and Storage Junction
Temperature Range
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Thermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Junction to Ambient
Symbol
VcEO VCER VCBO VEBO
ic
PD
pd
Tj, T stg
Symbol Rwjc RyjA
BSS BSS BSS 60 61 62 45 60 80 45 6 |
|
BSS62A | Comset Semiconductors |
(BSS60A - BSS62A) SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS NPN BSS60A-61A-62A SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
They are PNP transistors mounted in TO-39 metal package. They are designed for use in industrial switching applications e.g. print hammer, solenoid, relay and lamp driving . NPN complements are the BSS50A – 51A – 52A . Compliance to RoHS.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol
VCBO Collector-Base Voltage
www.DataSheet.net/
Ratings
BSS60A BSS61A BSS62A BSS60A BSS61A BSS62A
Value
60 80 90 45 60 80 5 1 2 0.1 5 0.8 200 -65 to +150
Unit
V
VCES VEBO IC IB Ptot TJ TStg
|
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |