DataSheet26.com


BSS123W даташит

Функция этой детали – «N-channel LogIC Level Enhancement Mode Field Effect Transistor».



Показать результаты поиска

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
BSS123W Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
  N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

BSS123W — N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor December 2015 BSS123W N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Features • 0.17 A, 100 V, RDS(ON) = 6 Ω at VGS = 10 V RDS(ON) = 10 Ω at VGS = 4.5 V • High Density Cell Design for Low RDS(ON) • Rugged and Reliable • Ultra Small Surface Mount Package • Very Low Capacitance • Fast Switching Speed • Lead Free / RoHS Compliant Description This N-channel enhancement mode field effect transistor is produced using
pdf
BSS123W Diodes
Diodes
  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Product Summary V(BR)DSS 100V RDS(ON) 6.0Ω @ VGS = 10V ID TA = +25°C 170mA Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Applications • Small Servo Motor Control • Power MOSFET Gate Drivers • Switching Applications BSS123W N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features • Low Gate Threshold Voltage • Low Input Capacitance • Fast Switching Speed • Low In
pdf
BSS123WQ Diodes
Diodes
  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

BSS123WQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary V(BR)DSS 100V RDS(ON) 6.0Ω @ VGS = 10V ID TA = +25°C 170mA Description This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features and Benefits  Low Gate Threshold Voltage  Low Input Capacitance  Fast Switching Speed  Low Input/Output Leakage  High Drain-Source Voltage Rating  Totally Lead-Free & Fully
pdf

[1]   



Последние обновления

scroll
Номер в каталоге Производители Описание PDF
2N3904 Unisonic Technologies
Unisonic Technologies

Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В.

pdf
NE555 ST Microelectronics
ST Microelectronics

Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ).

pdf

Index :   

A    B    C    D    E    F    G    H    I    J  

  K    L    M    N    O    P    Q

DataSheet26.com      |     2020      |     Контакты