|
BSH105 даташитФункция этой детали – «N-channel Enhancement Mode Mos Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
BSH105 | NXP Semiconductors |
N-channel enhancement mode MOS transistor Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode MOS transistor
FEATURES
• Very low threshold voltage • Fast switching • Logic level compatible • Subminiature surface mount package
BSH105
SYMBOL
d
QUICK REFERENCE DATA
VDS = 20 V ID = 1.05 A
g
RDS(ON) ≤ 250 mΩ (VGS = 2.5 V) VGS(TO) ≥ 0.4 V
s
GENERAL DESCRIPTION
N-channel, enhancement mode, logic level, field-effect power transistor. This device has very low threshold voltage and extremely fast switching making it ideal for batt |
Это результат поиска, начинающийся с "105", "BSH" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
07105GOA | Microsemi Corporation |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
07105GOA | Microsemi Corporation |
SILICON CONTROLLED RECTIFIER |
|
103P105X0200S | Vishay Siliconix |
Paper Capacitors Metal Case/ Film/Foil/ 10 Ampere Thru-Pass/ Subminiature |
|
103P105X0200S | Vishay Siliconix |
Paper Capacitors Metal Case/ Film/Foil/ 10 Ampere Thru-Pass/ Subminiature Type 103P
Vishay Sprague
Paper Capacitors Metal Case, Film/Foil, 10 Ampere Thru-Pass, Subminiature
FEATURES
• Bulkhead mounting • Excellent RFI specifications • Hermetically encased • Low inductance connection • Low insertion loss
PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Operating |
|
103P105X0200T | Vishay Siliconix |
Paper Capacitors Metal Case/ Film/Foil/ 10 Ampere Thru-Pass/ Subminiature |
|
103P105X0200T | Vishay Siliconix |
Paper Capacitors Metal Case/ Film/Foil/ 10 Ampere Thru-Pass/ Subminiature Type 103P
Vishay Sprague
Paper Capacitors Metal Case, Film/Foil, 10 Ampere Thru-Pass, Subminiature
FEATURES
• Bulkhead mounting • Excellent RFI specifications • Hermetically encased • Low inductance connection • Low insertion loss
PERFORMANCE CHARACTERISTICS
Operating |
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |