|
BC857BS даташитФункция этой детали – «Dual PNP Small Signal Surface Mount Transistor». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
BC857BS | Pan Jit International |
PNP GENERAL PURPOSE DUALTRANSISTORS BC857BS
PNP GENERAL PURPOSE DUALTRANSISTORS
VOLTAGE 45 Volts
POWER 150 mWatts
FEATURES
• General purpose amplifier applications • NPN epitaxial silicon, planar design • In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives
MECHANICAL DATA
• Case: SOT-363, Plastic • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • Approx. Weight: 0.008 gram • Marking : 57S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
PARAMETER Collector - Emitter Voltage Collector - Base Voltage Emitter - Base Voltage Collector Current - Continuous
THERMA |
|
BC857BS | NXP Semiconductors |
PNP general purpose double transistor DISCRETE SEMICONDUCTORS
DATA SHEET
handbook, halfpage
MBD128
BC857BS PNP general purpose double transistor
Product specification Supersedes data of 1997 Jul 09 1999 Apr 26
Philips Semiconductors
Product specification
PNP general purpose double transistor
FEATURES • Low collector capacitance • Low collector-emitter saturation voltage • Closely matched current gain • Reduces number of components and boardspace • No mutual interference between the transistors. APPLICATIONS • General purpose switching an |
|
BC857BS | Diodes |
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR BC857BS
45V DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR
Features
• Ultra-Small Surface Mount Package • Ideally Suited for Automated Insertion • For switching and AF Amplifier Application • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. "Green" Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability • PPAP capable (Note 4)
SOT363
C1
Mechanical Data
• Case: SOT363 • Case Material: Molded Plastic, “Green” Molding Compound.
UL Flammability Cla |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |