|
BAS21VD даташитФункция этой детали – «High-voltage Switching Diode Array». |
Показать результаты поиска |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
BAS21VD | NXP Semiconductors |
High-voltage switching diode array SOT457
BAS21VD
High-voltage switching diodes
1 August 2013
Product data sheet
1. General description
Triple high-voltage switching diodes, encapsulated in a SOT457 (SC-74/TSOP6) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
2. Features and benefits
• High switching speed: trr ≤ 50 ns • Low capacitance: Cd ≤ 5 pF • Reverse voltage: VR ≤ 200 V • AEC-Q101 qualified • Repetitive peak reverse voltage: VRRM ≤ 250 V • Repetitive peak forward current: IFRM ≤ 1 A • Small SMD plastic package
3. |
Это результат поиска, начинающийся с "21VD", "BAS2" |
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
TND321VD | ON Semiconductor |
Excellent Power Device TND321VD
Excellent Power Device
Dual inverter driver for general purpose
www.onsemi.com
Features
• Dual inverter • Monolithic structure (High voltage CMOS process adopted) • Withstand voltage of 25V is assured • Wide range of operating voltage : 4.5V to 25V |
|
TND321VD | Sanyo |
General Purpose Driver Ordering number : ENA0190
TND321VD
SANYO Semiconductors
DATA SHEET
ExPD (Excellent Power Device)
TND321VD General Purpose Driver for PDP Sustain Pulse Drive, Motor Drive,
Switching Power Supply, and DC / DC Converter Applications
Features
• Dual inverter. • Monolithic stru |
|
0-215079-8 | AMP |
Metric Datasheet.esaSheet.in
|
|
0-215079-x | AMP |
Metric Datasheet.esaSheet.in
|
|
000-7213-37 | Midcom |
Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16 more than you expect
Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16
LANDatacom
Typical Common Electrical Characteristics 1 Inductance 350uH Min. Dielectic Rating 1500VAC Insertion Loss -1.1dB max. -18dB min. -16dB min. Return Loss -14dB min. -12dB min. Cross Ta |
|
000-7213-37R | Midcom |
Discrete Single Port 10/100 Base-T PDSO-G16 |
[1]  
Последние обновления
Номер в каталоге | Производители | Описание | |
2N3904 | Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
NE555 | ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
DataSheet26.com | 2020 | Контакты |