|
B1647 даташитФункция этой детали – «PNP Transistor - 2sb1647». |
Показать результаты поиска |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| B1647 |  SavantIC |
PNP Transistor - 2SB1647 SavantIC Semiconductor
Silicon PNP Darlington Power Transistors
Product Specification
2SB1647
DESCRIPTION ·With TO-3PN package ·Complement to type 2SD2560
APPLICATIONS ·Audio ,regulator and general purpose
PINNING PIN 1 2 3
DESCRIPTION
Base Collector;connected to mounting base Emitter
Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol
Absolute maximum ratings(Ta= )
SYMBOL
PARAMETER
VCBO VCEO
Collector-base voltage Collector-emitter voltage
VEBO IC IB PC Tj
Emitter-base voltage Collector cur |
 |
Это результат поиска, начинающийся с "1647", "B1" |
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N1647 |  New Jersey Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 3-Pin TO-39 Box |
 |
| 2SA1647 |  Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SA1647
DESCRIPTION ·Available for high-current control in small dimension ·Low collector saturation voltage:
VCE(sat)= -0.3V(Max)@ IC= -3A ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations f |
|
| 2SA1647 |  NEC |
SILICON POWER TRANSISTOR ( DataSheet : )
'$7$ 6+((7
6,/,&21 32:(5 75$16,6725
6$ 6$=
313 6,/,&21 (3,7$;,$/ 75$16,6725 )25 +,*+63((' 6:,7&+,1*
The 2SA1647 is a mold power transistor developed for highspeed switching and features a very low collector-to-emitter saturation v |
|
| 2SA1647-Z | NEC |
SILICON POWER TRANSISTOR ( DataSheet : )
'$7$ 6+((7
6,/,&21 32:(5 75$16,6725
6$ 6$=
313 6,/,&21 (3,7$;,$/ 75$16,6725 )25 +,*+63((' 6:,7&+,1*
The 2SA1647 is a mold power transistor developed for highspeed switching and features a very low collector-to-emitter saturation v |
|
| 2SA1647-Z | Inchange Semiconductor |
Silicon PNP Power Transistor isc Silicon PNP Power Transistor
INCHANGE Semiconductor
2SA1647-Z
DESCRIPTION ·Available for high-current control in small dimension ·Low collector saturation voltage:
VCE(sat)= -0.3V(Max)@ IC= -3A ·Fast switching speed ·100% avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations |
|
| 2SB1647 |  Sanken electric |
Silicon PNP Epitaxial Planar Transistor(Audio/ Series Regulator and General Purpose) (7 0 Ω ) E
Darlington
sAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC Tj Tstg 2SB1647 –150 –150 –5 –15 –1 130(Tc=25°C) 150 –55 to +150 Unit V V V A A W °C °C
2SB1647
sElectrical Characteristics
Symbol ICBO IEBO V(BR)CEO hFE VCE(sat) VBE(sat) |
|
[1]
Последние обновления
| Номер в каталоге | Производители | Описание | |
| 2N3904 |  Unisonic Technologies |
Это популярный биполярный переходной транзистор (BJT), обычно используемый в электронных схемах. Транзистор NPN с максимальным номинальным током 200 мА и максимальным номинальным напряжением 40 В. |
|
| NE555 |  ST Microelectronics |
Это широко используемая интегральная схема таймера (ИС), которую можно использовать для генерирования сигналов с точной временной задержкой, колебаний и широтно-импульсной модуляции (ШИМ). |
|
| DataSheet26.com | 2020 | Контакты |